N_2Oガス気相熱励起法によるシリコン酸窒化膜の形成
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概要
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酸窒化剤として比較的安全なガスであるN_2Oを用いて,気相熟励起法によるシリコン酸窒化薄膜を形成した.オージェ電子分光法による酸窒化反応速度の測定によって熱励起温度と基板温度の関係を調べ,反応中のガス質量分析の測定と合わせ,N_2O気相熱励起法の効果について明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-01
著者
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