5p-G-5 電子線照射によるCdSの光電流と暗電流の増加

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1973-04-03

著者

• 岡 喬

  阪府大先端研

• 吉田 俊夫

  大放研

• 庄野 吉彦

  大放研

• 岡 喬

  大放研

• 庄野 吉彦

  大阪府立大学先端科学研究所

• 藤野 隆弘

  大放研

関連論文

• 27p-PS-34 Ba_2YCu_3O_y単結晶における酸素拡散の直接観察
• 6a-B-8 中性子照射した硫化亜鉛蛍光体の光物性
• 中性子照射した硫化亜鉛蛍光体の光物性 : 光物性
• 1a-TD-8 Pulse的にみたRadiateon Induced Current VI(気体)
• 14p-M-12 Pulse的にみたRadiation Induced Current (I)
• 27aPS-20 Bi(Pb)-Sr-RE(Zr)-Cu-O系における2222相の合成とその物性(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pPSA-27 Cu系1232相の合成とその物性(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28aPS-39 Ru-Sr-Gd(Ln)-Ce-Cu-O系における1232相の超伝導(領域8 ポスターセッション)(領域8)
• 22aPS-5 Ta 系層状銅酸化物の合成と物性
• 28aPS-25 M-Sr-Ln(Ce)-Cu-O 系 (M=Ru, Mo, Nb) における 1232 相の合成とその物性
• 18pPSA-33 Ru系1232相の合成とその物性
• 分子線エピタキシー法によるGaAs(111)B上へのCdS薄膜の最適作製条件
• 23aPS-29 Bi-La-Ca-Cu-O超伝導体におけるBiのCd置換効果
• 29a-K-3 Pb-Sr-La-Cu-O系における3212相の合成とその物性
• 26p-PSA-41 YBa_2Cu_3O_y単結晶中の酸素のトレーサー拡散係数
• 9p-P-12 電子線照射で生ずるCdSの欠陥
• 5p-M-11 電子線照射で生成したCdSの欠陥
• 6a-Q-5 電子線照射した硫化亜鉛のESRの光感性
• 5p-M-6 電子線照射したCdS中の束縛励起子発光
• 10p-N-2 電子線照射したZnSのESR
• 13p-P-6 電子線照射したCdSの暗電流と光伝導
• 23p-L-5 電子線照射したZnSの熱刺激電流
• 23p-L-4 低温で電子線照射したCdS中の格子欠陥
• 5p-G-5 電子線照射によるCdSの光電流と暗電流の増加
• 9a-L-9 中性子照射したZnSの燒鈍効果
• 31a-PS-43 YBa_2Cu_3O_単結晶中の酸素拡散(III)
• 27p-APS-29 YBa_2Cu_3O_y単結晶中の酸素拡散の異方性
• 29p-H-5 GaAsの放射線照射効果 (III) : 10MeV陽子線 II
• 30p-PSB-63 KBrマトリックス中のYBaCuO微粒子の低磁場マイクロ波吸収
• 14a-E-9 極性半導体中のホッピング伝導
• 30p-SG-15 GaPのγ線照射効果 : (DLTS)
• 30p-SG-14 GaAsの放射線照射効果 (II) : 10MeV陽子線
• 1a-Pβ-13 高純度単結晶CdSの輸送特性に及ぼす照射欠陥の効果
• 1a-Pβ-12 GaAsの不純物伝導に対する電子線導入欠陥の影響
• 1a-T-11 GaAsの放射線照射効果(I) : 5MeV電子線
• 5p-NL-7 CdSのホール効果-不純物量評価
• 3p-P-11 CdSの不純物伝導に対する電子線照射効果
• 31a GH-1 CdSの不純物伝導に対する電子線照射効果
• 4a-AE-7 電子線照射したZnSの赤外発光と光吸収
• 4a-AE-6 CdSの電子線照射効果(σ,R_Hへの影響)
• 31p-BB-3 電子線照射したZnSのESR
• 8p-P-5 水晶振動子のγ線照射効果(III)
• 10p-N-1 電子線照射したCdSの焼鈍 : STAGE III_N
• 13p-P-7 10MeV電子線を放射したCaSの回復(T>77°K)
• 29p-PSA-29 高温超伝導体の微細環状アレーに於ける特性測定(II)
• 10p-U-3 電子線照射したZnSの格子欠陥
• 5a-K-3 陽子照射したMgOの光物性
• 30a-U-8 電子線照射した ZnS の焼鈍
• 6p-E-6 電子線を照射したCdSのannealing
• 7p-E-4 電子線照射したZnSの焼鈍-不純物の影響
• 3a-TA-12 電子線照射によって生成されたCdS中の散乱中心
• 10a-Q-3 電子線照射したZnSのESR
• CdSの電子線照射効果とそのannealing (II) : 格子欠陥
• 電子線照射したZnSのESR : 格子欠陥
• 4a-P-8 中性子照射ZnS蛍光の焼鈍による変化
• 4a-P-6 CdSの電子線照射効果
• 4a-L-2 ZnS,CdSの電子線照射効果
• 中性子照射したZnSの光電気伝導 : イオン結晶・光物性
• 中性子照射したZnS : イオン結晶光物性 : 光学的性質II
• 9a-L-8 中性子照射したZnS單結晶の光物性
• 中性子照射したZnS単結晶のESR(光物性)
• 中性子照射したZnS単結晶の光物性(光物性)
• 中性子照射した硫化亜鉛蛍光体のESR : 光物性
• 4a-H-7 中性子照射した硫化亜鉛蛍光体のESR
• 4a-KF-5 水晶発振子の大量γ線照射効果
• 10p-U-4 電子線照射したCdSの光伝導と熱刺激電流
• 3a-N-14 電子線照射したCdSの熱刺激電流
• 6p-E-7 電子線照射したCdSの光伝導
• 7p-E-3 CdS電子線照射効果
• 8a-H-7 ZnS軍結晶の積層不整
• 放射線照射したZnSの光吸収 : 格子欠陥
• CdSの電子線照射効果とそのannealing(I) : 格子欠陥
• 30a-F-1 大線量率パルスX線の電離電流
• 5p-G-3 陽子照射したMgOの発光
• 30a-U-7 電子線を照射した CdS の annealing
• 2a-KL-7 GaAsの放射線照射効果 : 線種 不純物濃度の問題
• 14a-L-8 GaPのγ線照射効果(DLTS)II
• 9p-Q-3 Pulse的にみたRadiation Induced Current(固体)V
• 中性子照射したZnSの焼鈍効果 : イオン結晶・光物性
• 4a-H-5 黒化磁化亜鉛表面の電顕観察
• 6a-KM-3 200KeV電子線で低温照射したCdSの焼鈍
• 放射線照射したZnSの光吸収 : 格子欠陥
• 中性子照射したZnS単結晶中の捕獲中心 : 光物性・イオン結晶
• 6pPSA-54 Ru(Nb)系1232相の合成とその物性(高温超伝導,領域8)
• 24pPSA-48 Ru系1232相の合成とその物性 II(24pPSA 理論・高温超伝導,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク