3p-P-11 CdSの不純物伝導に対する電子線照射効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1979-09-15
著者
関連論文
- 11a-E-3 飛行中陽電子のK殻軌道電子による二光子消滅
- 6a-B-8 中性子照射した硫化亜鉛蛍光体の光物性
- 中性子照射した硫化亜鉛蛍光体の光物性 : 光物性
- 1a-TD-8 Pulse的にみたRadiateon Induced Current VI(気体)
- 14p-M-12 Pulse的にみたRadiation Induced Current (I)
- 9p-P-12 電子線照射で生ずるCdSの欠陥
- 5p-M-11 電子線照射で生成したCdSの欠陥
- 6a-Q-5 電子線照射した硫化亜鉛のESRの光感性
- 5p-M-6 電子線照射したCdS中の束縛励起子発光
- 10p-N-2 電子線照射したZnSのESR
- 13p-P-6 電子線照射したCdSの暗電流と光伝導
- 23p-L-5 電子線照射したZnSの熱刺激電流
- 23p-L-4 低温で電子線照射したCdS中の格子欠陥
- 5p-G-5 電子線照射によるCdSの光電流と暗電流の増加
- 9a-L-9 中性子照射したZnSの燒鈍効果
- 29p-H-5 GaAsの放射線照射効果 (III) : 10MeV陽子線 II
- 14a-E-9 極性半導体中のホッピング伝導
- 30p-SG-15 GaPのγ線照射効果 : (DLTS)
- 30p-SG-14 GaAsの放射線照射効果 (II) : 10MeV陽子線
- 1a-Pβ-13 高純度単結晶CdSの輸送特性に及ぼす照射欠陥の効果
- 1a-Pβ-12 GaAsの不純物伝導に対する電子線導入欠陥の影響
- 1a-T-11 GaAsの放射線照射効果(I) : 5MeV電子線
- 5p-NL-7 CdSのホール効果-不純物量評価
- 3p-P-11 CdSの不純物伝導に対する電子線照射効果
- 31a GH-1 CdSの不純物伝導に対する電子線照射効果
- 4a-AE-7 電子線照射したZnSの赤外発光と光吸収
- 4a-AE-6 CdSの電子線照射効果(σ,R_Hへの影響)
- 31p-BB-3 電子線照射したZnSのESR
- 8p-P-5 水晶振動子のγ線照射効果(III)
- 10p-N-1 電子線照射したCdSの焼鈍 : STAGE III_N
- 13p-P-7 10MeV電子線を放射したCaSの回復(T>77°K)
- 10p-U-3 電子線照射したZnSの格子欠陥
- 5a-K-3 陽子照射したMgOの光物性
- 30a-U-8 電子線照射した ZnS の焼鈍
- 6p-E-6 電子線を照射したCdSのannealing
- 7p-E-4 電子線照射したZnSの焼鈍-不純物の影響
- 3a-TA-12 電子線照射によって生成されたCdS中の散乱中心
- 4a-P-8 中性子照射ZnS蛍光の焼鈍による変化
- 4a-P-6 CdSの電子線照射効果
- 4a-L-2 ZnS,CdSの電子線照射効果
- 中性子照射したZnSの光電気伝導 : イオン結晶・光物性
- 中性子照射したZnS : イオン結晶光物性 : 光学的性質II
- 中性子照射したZnS単結晶のESR(光物性)
- 中性子照射したZnS単結晶の光物性(光物性)
- 4a-H-7 中性子照射した硫化亜鉛蛍光体のESR
- 4a-KF-5 水晶発振子の大量γ線照射効果
- 10p-U-4 電子線照射したCdSの光伝導と熱刺激電流
- 3a-N-14 電子線照射したCdSの熱刺激電流
- 6p-E-7 電子線照射したCdSの光伝導
- 7p-E-3 CdS電子線照射効果
- 8a-H-7 ZnS軍結晶の積層不整
- 放射線照射したZnSの光吸収 : 格子欠陥
- 5p-G-3 陽子照射したMgOの発光
- 30a-U-7 電子線を照射した CdS の annealing
- 2a-KL-7 GaAsの放射線照射効果 : 線種 不純物濃度の問題
- 9p-P-11 電子線照射したCdSのHALL効果(4〜300K)
- CdS単結晶の熱処理効果(光物性)
- CdS単結晶の電子線照射効果(光物性)
- 9p-Q-3 Pulse的にみたRadiation Induced Current(固体)V
- 中性子照射したZnSの焼鈍効果 : イオン結晶・光物性
- 4a-H-5 黒化磁化亜鉛表面の電顕観察
- 6a-KM-3 200KeV電子線で低温照射したCdSの焼鈍
- 放射線照射したZnSの光吸収 : 格子欠陥
- 中性子照射したZnS単結晶中の捕獲中心 : 光物性・イオン結晶