9p-P-11 電子線照射したCdSのHALL効果(4〜300K)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1977-09-20
著者
関連論文
- 11a-E-3 飛行中陽電子のK殻軌道電子による二光子消滅
- 2p-L-10 n型GaAsの相互作用効果の磁場依存性
- 2p-L-9 n型GaAsの非弾性散乱時間
- 3p-RM-8 n型InSbとn型GaAsでのアンダーソン局在効果
- 28a-HE-8 IK以下でのn型InSbとn型GaAsの磁気抵抗
- 9p-P-12 電子線照射で生ずるCdSの欠陥
- 5p-M-6 電子線照射したCdS中の束縛励起子発光
- 13p-P-6 電子線照射したCdSの暗電流と光伝導
- 23p-L-4 低温で電子線照射したCdS中の格子欠陥
- 29p-H-5 GaAsの放射線照射効果 (III) : 10MeV陽子線 II
- 14a-E-9 極性半導体中のホッピング伝導
- 30p-SG-15 GaPのγ線照射効果 : (DLTS)
- 30p-SG-14 GaAsの放射線照射効果 (II) : 10MeV陽子線
- 1a-Pβ-13 高純度単結晶CdSの輸送特性に及ぼす照射欠陥の効果
- 1a-Pβ-12 GaAsの不純物伝導に対する電子線導入欠陥の影響
- 1a-T-11 GaAsの放射線照射効果(I) : 5MeV電子線
- 5p-NL-7 CdSのホール効果-不純物量評価
- 3p-P-11 CdSの不純物伝導に対する電子線照射効果
- 31a GH-1 CdSの不純物伝導に対する電子線照射効果
- 4a-AE-7 電子線照射したZnSの赤外発光と光吸収
- 4a-AE-6 CdSの電子線照射効果(σ,R_Hへの影響)
- 10p-N-1 電子線照射したCdSの焼鈍 : STAGE III_N
- 13p-P-7 10MeV電子線を放射したCaSの回復(T>77°K)
- 30a-U-8 電子線照射した ZnS の焼鈍
- 6p-E-6 電子線を照射したCdSのannealing
- 7p-E-4 電子線照射したZnSの焼鈍-不純物の影響
- 3a-TA-12 電子線照射によって生成されたCdS中の散乱中心
- 10a-Q-3 電子線照射したZnSのESR
- CdSの電子線照射効果とそのannealing (II) : 格子欠陥
- 4a-P-6 CdSの電子線照射効果
- 4a-L-2 ZnS,CdSの電子線照射効果
- 中性子照射したZnSの光電気伝導 : イオン結晶・光物性
- 10p-U-4 電子線照射したCdSの光伝導と熱刺激電流
- 3a-N-14 電子線照射したCdSの熱刺激電流
- 6p-E-7 電子線照射したCdSの光伝導
- 7p-E-3 CdS電子線照射効果
- CdSの電子線照射効果とそのannealing(I) : 格子欠陥
- 30a-U-7 電子線を照射した CdS の annealing
- 2a-KL-7 GaAsの放射線照射効果 : 線種 不純物濃度の問題
- 14a-L-8 GaPのγ線照射効果(DLTS)II
- 9p-P-11 電子線照射したCdSのHALL効果(4〜300K)
- 6a-KM-3 200KeV電子線で低温照射したCdSの焼鈍
- 中性子照射したZnS単結晶中の捕獲中心 : 光物性・イオン結晶