電析ニッケルの表面形態並びに結晶配向に及ぼす数種吸着性有機物の影響(<特集>表面・界面・薄膜と分析化学)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ワット浴から得た電析ニッケルの表面形態と結晶配向に対するサッカリン(SA)並びにジオール化合物{ブタンジオール(BA), ブテンジオール(BE), ブチンジオール(BY)}の作用機構について検討した.有機物を含まないワット浴から得た電析ニッケルの表面には直径が2から5μmの粒状結晶が観察され, 表面の凹凸も大きかった.SAを添加すると凹凸の小さなかつち密な電析物が得られた.3種類のジオール化合物を単独に添加すると, いずれの場合も結晶粒は小さくなったが, 結晶粒はニッケルイオン(Ni^<2+>)の還元に対する抑制効果が大きくなるBA, BE, BYの順により微細化した.一方, ジオール化合物の中でNi^<2+>の還元に対する抑制効果の最も大きいBYとSAの両者が共存すると, これら2種の吸着性有機物の協同効果により(111)面の優先配向をもつ微細・平滑かつち密な電析ニッケルを得ることができた.
- 1991-11-05
著者
-
金子 紀男
信州大学工学部
-
根津 弘幸
信州大学工学部
-
金子 紀男
Department Of Chemistry And Material Engineering Faculty Of Engineering Shinshu University
-
根津 弘幸
信州大学工学
関連論文
- エリソルビン酸を還元剤とする無電解金めっき
- 電析ニッケルの表面形態並びに結晶配向に及ぼす数種吸着性有機物の影響(表面・界面・薄膜と分析化学)
- 鉛フリーはんだ接合に対応した硫酸浴からのSn-Ag-Cu合金めっき
- 亜硫酸-ピロリン酸浴からの金-スズ合金の電析
- 電気めっき法による硫酸浴からのSn-Cuはんだバンプの作製
- N, N-ビス(ポリオキシエチレン)オクタデシルアミンを添加剤とする硫酸浴からの鉛フリーはんだ接合に対応したSn-Ag合金めっき
- 鉛フリーはんだ接合に対応した硫酸浴からのSn-Ag合金めっき
- 電位パルス電解法による Cu/Cu-Sn 合金積層皮膜の作製
- 電析したSn-Ag-Cu三元合金の微細構造
- 電気めっき法によるフリップチップ接合用鉛フリーはんだバンプの作製
- 鉛フリーはんだ接合に対応した硫酸浴からのSn-Cu合金めっき
- はんだの鉛フリー化に対応しためっき技術の現状
- 有機スルホン酸浴からの錫-銀合金の電析及び皮膜特性
- 電気めっき法による硫酸浴からのSn-Cuはんだバンプの作成
- 鉛フリーはんだ接合に対応した硫酸浴からのSn-Cu合金めっき (MES2000 第10回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- 電気めっき法によるフリップチップ接合用Sn-Agはんだバンプの作成
- 銀めっき皮膜の室温放置による再結晶化
- 置換型析出による無電解Sn-Ag合金めっき
- ASTM腐食水中におけるDICHANのSPCCへの腐食抑制機構のSTMによるin-situ評価
- カドミウムの結晶電析過程における電流振動に及ぼすハロゲン化物イオンの影響〔英文〕
- カドミウムイオンのポーラログラフ的還元に及ぼす臭化エチルトリフェニルホスホニウムの影響
- N,N-ビス(デカオキシエチレン)オクタデシルアミン共存下でのカドミウムの結晶電析過程における電流振動ならびに電析カドミウムの表面形態
- 電析スズ中に共析したクラウンエーテルのテトラブロモフェノールフタレインエチルエステルによる抽出吸光光度定量
- 電流規制によるスズの結晶電析過程における電位振動--N,N-ビス(テトラオキシエチレン)オクタデシルアミンおよびトリベンジルアミン共存下での電位振動
- アルカリ性シアン水溶液からの亜鉛の結晶電析過程における電位振動
- クラウンエ-テル共存下での亜鉛イオンのポ-ラログラフ的還元に及ぼす支持電解質カチオンの影響
- 数種のアミンの滴下水銀電極上における吸着
- 亜鉛の結晶電析過程における電位振動.振動の減衰に及ぼす陰極表面の結晶形態の影響
- N, N-ビス(モノオキシエチレン)オクタデシルアミン共存下でのカドミウムの結晶電析過程における電流振動(表面・界面・薄膜と分析化学)
- 亜鉛の結晶電析過程における電位振動-振幅ならびに周期に及ぼす陰極表面の結晶形態の影響
- 化学振動現象への分析化学的アプロ-チ
- 電流規制によるカドミウムの結晶電析過程における電位振動
- 電流規制によるクラウンエ-テル共存下でのスズの結晶電析過程における電位振動
- 電流規制によるスズの結晶電析過程における電位振動-1-ポリオキシエチレンアルキルアミンおよびジフェニルアミン-クロトンアルデヒド反応物共存下での電位振動
- 電流規制による亜鉛の結晶電析過程における電位振動
- スズ(2)イオンのポ-ラログラフ的還元に及ぼすベンザルアセトンの影響
- スズ(2)イオンのポ-ラログラフ的還元に及ぼすポリオキシエチレンアルキルアミンの影響
- 亜鉛(2)イオンおよび銅(2)イオンの還元に及ぼすクラウンエ-テルの影響
- 置換反応によるクエン酸アンモニウム浴からの無電解金めっき
- はんだの鉛フリー化に対応しためっき技術の動向 (実装技術ガイドブック2001年--CSP,ビルドアップ基板,はんだ付けなど実相技術を集大成) -- (はんだ付け材料編)
- ASTM腐食水中におけるDICHANのSPCCへの腐食抑制機構の電気化学的評価
- 鉛フリーはんだめっきによるフリップチップバンプ形成形成 (実装技術ガイドブック2000年--CSP,ビルドアップ基板,ハンダ付けなど実装技術を集大成) -- (フリップチップ編)
- N,N-ビス(ポリオキシエチレン)オクタデシルアミン共存下でのカドミウムイオンのポ-ラログラフ的還元に及ぼすハロゲン化物イオンの影響
- トリベンジルアミン共存下でのカドミウムの結晶電析過程における電流振動
- カドミウムイオンのポ-ラログラフ的還元に及ぼすN,N-ビス(ポリオキシエチレン)オクタデシルアミンの抑制効果
- 芳香族ケトン類の滴下水銀電極上における吸着
- ジメチルスルホキシド中における四塩化チタンのポ-ラログラフィ-
- Ni/Au-20Sn合金めっき皮膜界面の結晶組織
- ピロリン酸塩浴からスズ-銅合金の電析
- ピロリン酸-ヨウ化物浴から電析したSn-Ag合金膜の平滑化に関するポーラログラフ的研究
- 鉛フリーはんだ接合に対応した めっきの現状
- カーボンナノチューブ複合電解ニッケルめっき皮膜の特性評価
- パルスめっきによるインジウム-銅マイクロ積層膜の作製 (MES2000 第10回マイクロエレクトロニクスシンポジウム)
- 亜鉛の結晶電析に及ぼす3-置換ピリジニウム化合物の影響
- 3-置換ピリジニウム化合物の滴下水銀電極上における吸着
- 3-置換ピリジニウム化合物のポ-ラログラフ的還元
- 電気めっき浴の変遷とその問題点--硫酸スズめっき浴とアルカリ亜鉛浴を事例として
- 亜鉛の結晶電析に及ぼすエピクロルヒドリン-イミダゾ-ル反応物の影響
- 高速低シアン銀めっき浴の電気化学的挙動
- 高速低シアン銀めっき浴の析出膜特性
- エレクトロニクス実装におけるマイクロファブリケーションの現状
- 放射能分析 (進歩総説)
- 電気分析 (進歩総説)
- Electroless Gold Plating Using Erythorbic Acid as Reducing Agent