中性子放射化分析法によるフッ化物光ファイバー母材作製工程における銅汚染の原因について
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
中性子放射化分析法によりフッ化物光ファイバー原料及び母材中のCuを定量し, 母材の作製工程にCu汚染があることを明らかにした.Cu汚染源を見つけ出すために, 実験雰囲気, 使用水, 使用器具による汚染を検討し, Auめっき真ちゅう鋳型の真ちゅうが汚染源であることを突き止めた.又, 母材中に汚染したCuは, エッチング溶液中の^<64>Cuの放射能測定により, 母材表面から300μmの深さまで分布していることが分かった.
- 1995-04-05
著者
関連論文
- フッ化物光ファイバー原料の精製と評価
- C-3-41 1.58-μm帯Er^添加テルライトファイバ増幅器の増幅特性
- 1581-1616nmに増幅帯域を有するテルライトEDFA
- 1.58-μm帯Er^添加テルライトファイバ増幅器の温度依存性
- 高効率PDFモジュール
- 放射化分析法だからできた微量銅汚染の解明
- 中性子放射化分析法によるフッ化物光ファイバー母材作製工程における銅汚染の原因について
- Er^3+添加テルライト光ファイバ増幅器の雑音特性
- 980nmLD励起PDFAの増幅特性
- 利得等化器を用いた広帯域・利得平坦型テルライト系EDFA
- フッ化物系光ファイバ-用高純度BaHF_3の作製
- フッ化物系光ファイバー用高純度原料の作製
- 中性子放射化分析法による電子材料中の微量元素の定量(無機材料分析のためのスペクトロメトリー)