小林 健二 | NTT光エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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小林 健二
NTT光エレクトロニクス研究所
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小林 健二
Nttフォトニクス研究所
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大石 泰丈
Nttエレクトロニクス株式会社 光ファイバモジュール部
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山田 誠
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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山田 誠
NTT光エレクトロニクス研究所
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金森 照寿
NTT光エレクトロニクス研究所
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大石 泰丈
NTT光エレクトロニクス研究所
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金森 照寿
NTTエレクトロニクス株式会社, 光ファイバモジュール部
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森 淳
NTT光エレクトロニクス研究所
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山田 誠
大阪府立大学
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及川 喜良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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及川 喜良
NTT光エレクトロニクス研究所
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小野 浩孝
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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清水 誠
Nttエレクトロニクス株式会社
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西田 好毅
NTT光エレクトロニクス研究所
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清水 誠
NTT光エレクトロニクス研究所
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阪本 匡
NTT光エレクトロニクス研究所
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小野 浩孝
NTT光エレクトロニクス研究所
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島田 俊之
Ntt光エレクトロニクス研究所
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大石 泰丈
Nttエレクトロニクス
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鹿野 弘二
NTT光エレクトロニクス研究所
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鹿野 弘二
函館工業高等専門学校物質工学科
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大石 泰丈
Ntt エレクトロニクス(株)
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西田 好毅
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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小林 健二
Ntt光エレクトロニクス研究所 材料研究部ファイバアンプ材料研究グループ
著作論文
- フッ化物光ファイバー原料の精製と評価
- C-3-41 1.58-μm帯Er^添加テルライトファイバ増幅器の増幅特性
- 放射化分析法だからできた微量銅汚染の解明
- 中性子放射化分析法によるフッ化物光ファイバー母材作製工程における銅汚染の原因について
- Er^3+添加テルライト光ファイバ増幅器の雑音特性
- 980nmLD励起PDFAの増幅特性
- 利得等化器を用いた広帯域・利得平坦型テルライト系EDFA
- フッ化物系光ファイバ-用高純度BaHF_3の作製