セシウムイオン源による窒化ケイ素-金属接合界面の二次イオン質量分析
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概要
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チタン, 窒素, シリコン化合物について二次イオン質量分析法(SIMS)による化合物の同定と深さ方向分析について検討を行った.セシウムイオンを一次イオン種とした際の各種化合物の二次イオンのうち, 特異的に化合物の存在を示すイオンを選択し, そのイオンを用いた深さ方向分析法を窒化ケイ素-金属接合界面の生成物分布分析に適用した結果, 以下の知見が得られた.1)窒化チタンの存在を示す特異イオンとしては, m/z=62,110,124,195がよい.2)ケイ化チタンの存在を示す特異イオンとしては, m/z=76,104がよい.3)今回選定した特異イオンを用いて窒化ケイ素と金属との接合界面を分析した結果, 反応生成物層が二層構造になっているというこれまでの分析電子顕微鏡及び, X線光電子分光法による分析結果が確認できた.
- 1990-07-05
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