ヒ化ガリウム/ヒ化アルミニウム膜のオージェ電子分光法における深さ分解能のスパッタリングイオン種とそのエネルギーに対する依存性
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概要
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オージェ電子分光法による深さ方向分析において, GaAs/AlAs/GaAs膜(各30nm)を用いた場合のスパッタリングイオンの加速電圧及び質量と深さ分解能の関係について検討した.イオン種にはNe^+, Ar^+, Kr^+を用い, イオン加速電圧は0.5〜3.0kVについて検討した.その結果, 深さ分解能はNe^+, Ar^+及びKr^+のいずれのイオンでもイオン加速電圧の1/2乗に比例することが分かった.そして, イオン加速電圧を大きくするにつれ深さ分解能が低下する主要因はイオンスパッタリングによるアトミックミキシングであると推定された.又, イオンの質量が小さいほど深さ分解能は向上する傾向にあり, Ne^+の加速電圧0.5kVでGa-MVVを用いた場合が最もよい深さ分解能が得られた.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1990-05-05
著者
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