主記憶データベース向きのデータ構造の検討
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概要
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ページ単位(256バイト)に乱アクセスが可能で、電源供給なしにデータを保存できるフラッシュメモリがディスクに代わる二次記憶として期待されつつある。一般にフラッシュメモリはデータ更新の際にブロック消去の必要があり、またその回数に上限がある。このため、バックアップのような書き換えが長周期である二次記憶には利用できるが、更新頻度の高いデータベースでは従来のデータ構造をそのまま利用することはできない。本稿では、データベースの二次記憶としてフラッシュメモリを利用する場合に有効なデータ構造であるF木を提案する。F木は主記憶で効率的であるT木への変換が容易である。
- 社団法人情報処理学会の論文
- 1993-09-27
著者
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