22aC1 晶相変化の理論的解析 : 高速取り込み経路(成長界面I)
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概要
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The incorporation rates of growth units into kink sites on growth surfaces of crystals by series processes via intermediate sites from solution are investigated by changing the energy states of the intermediate sites and the activation energies for the processes. The result suggests the existence of a rapid-incorporation path in surface kinetics of crystal growth.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
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