高抵抗GaAsエピタキシャル層の気相成長 : エピタキシー(VPE)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本結晶成長学会の論文
- 1978-11-05
著者
関連論文
- 高抵抗GaAsエピタキシャル層の気相成長 : エピタキシー(VPE)
- 半絶縁性GaAsエピタキシャル層の気相成長 : エピタクシー
- 共鳴トンネリングホットエレクトロントランジスタ(RHET)の解析 (3-5族半導体デバイスと集積回路)
- 超高均一GaAs気相エピタキシャル層の成長 : III-V族化合物半導体など
- 横型炉を用いたGaAs VPEの多数枚同時成長法 : エピタキシー(VPE)
- Growth Mechanism and Artificial Semiconductor(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 電子デバイス高速化の極限 (極限技術と応用物理特集号) -- (素子の機能の極限)
- 14a-E-18 微細加工n^+nn^+GaAsにおけるホットエレクトロン現象
- 3p-B-11 GaAs中の深い準位を示す発光センターの動的性質
- 3p-Q-5 GaAs中の深い不純物準位に捕えられた励起子発光