電子デバイス高速化の極限 (極限技術と応用物理特集号) -- (素子の機能の極限)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会の論文

著者

• 柴富 昭洋

  (株)富士通研究所

関連論文

• 高抵抗GaAsエピタキシャル層の気相成長 : エピタキシー(VPE)
• 半絶縁性GaAsエピタキシャル層の気相成長 : エピタクシー
• 共鳴トンネリングホットエレクトロントランジスタ(RHET)の解析 (3-5族半導体デバイスと集積回路)
• 超高均一GaAs気相エピタキシャル層の成長 : III-V族化合物半導体など
• Growth Mechanism and Artificial Semiconductor(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
• 電子デバイス高速化の極限 (極限技術と応用物理特集号) -- (素子の機能の極限)
• 14a-E-18 微細加工n^+nn^+GaAsにおけるホットエレクトロン現象
• 3p-B-11 GaAs中の深い準位を示す発光センターの動的性質
• 3p-Q-5 GaAs中の深い不純物準位に捕えられた励起子発光

スポンサーリンク