13p-P-6 シリコンのラマン散乱
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1972-10-10
著者
関連論文
- 4p-F-7 (NbSe_4)_3Iの低温X線構造解析
- 4p-F-6 (MSe_4)_nIのラマン散乱と交流電気伝導
- 3a-L-9 擬一次元金属相NbS_3の超伝導
- 5a-A-7 (MSe_4)_xIの赤外反射スペクトル
- 5a-A-6 (TaSe_4)_2I,(NbSe_4)_3Iのラマン散乱
- 2p-KH-12 (NbSe_4)_3Iのラマン散乱
- 2p-KH-11 (NbSe_4)_3Iの構造相転移
- 13p-PS-18 I_NbSe_4およびI_TaSe_4の電気伝導
- 13p-PS-17 NbS_の超伝導
- 30p-M-8 HfTe_5抵抗異常 [IV]
- 30p-M-7 NbS_3の抵抗異常
- 30p-B-4 HfTe_5の抵抗異常 [III]
- 31p-E-17 HfTe_5の抵抗異常[II]
- 2p-NL-11 HfTe_5の抵抗異常
- 2p-W-33 HfTe_5の電気伝導
- 3a-A-13 遷移金属ダイカルコゲナイドの共鳴ラマン散乱
- 30p-E-6 MoSe_2, WSe_2の共鳴ラマン散乱
- 28a-D-10 NbS_3のラマン散乱
- 2p-B-10 遷移金属カルコゲナイドのラマン散乱(II)
- 2p GE-12 遷移金属カルコゲナイドのラマン散乱
- 5p-LT-12 WSe_2のラマン散乱
- 5p-DR-4 2H-MoSe_2のラマン散乱と赤外スペクトル
- 4p-F-5 Me_3S・TCNQ・(I_3)_の電気伝導
- 4a-F-3 NbS_x(X≃3)の超伝導転移と帯磁率
- 4a-F-1 HfTe_5の低温X線回折
- 30p-RB-9 金属非金属転移近傍の不均一な伝導体
- 7p-W-5 CdS_Se_x混晶の発光スペクトル
- 27a-A-18 (MSe_4)_nIの比熱と帯磁率
- 28p-A-10 Si表面欠陥層の非オーム的電気伝導
- 14a-E-1 n-Siの低温電気伝導のlog-T依存性
- 4p-F-3 Mo_2S_3のラマン散乱
- 28a-QE-17 Fe_xNbSe_2のメスバウァー効果
- 1p-F-5 CuV_2S_4の相転移IV
- 2a-TC-2 GaP回折格子表面の表面フォノンポラリトンによる赤外反射とラマン散乱
- 2p-KH-2 Cu_NbS_2の秩序-無秩序相転移
- 1a-KK-11 CuV_2S_4のCDW相転移III
- 13p-PS-11 CuV_2S_4のCDW相転移II
- 27p-M-12 CuV_2S_4のCDW相転移とラマン散乱
- 30a-SC-3 SbSBrの格子力学
- 4a-PS-14 ZmTeの表面フォノンポラリトンによるラマン散乱III
- 1a-KK-8 4Hb-TaSe_2のラマン散乱
- 27a-A-17 η-Mo_4O_の電気伝導とラマン散乱
- 27p-M-7 4Hb-TaS_2のラマン散乱 III
- 2a-NL-15 4Hb-TaS_2のラマン散乱
- 30p-E-5 MoS_2, WS_2の共鳴ラマン散乱
- 7p-W-3 GaAsの二次ラマン散乱
- 4a-Z-4 ZnCr_2Se_4 のラマン散乱
- 3a GB-5 パイライト型遷移金属化合物のラマン散乱 II
- 7a-G-5 パイライト型遷移金属化合物のラマン散乱
- 7p-J-9 NiS_2のラマン散乱
- 11p-F-11 CdS_Sexの温度変調スペクトル
- 27p-W-3 SbSBrの相転移の機構
- 30a-SC-2 SbSBrの低温X線回折
- 2a-J-10 SbSBrの相転移VI
- 5a-NB-12 SbSBrの相転移V(格子力学)
- 5a-NB-11 SbSBrの相転移IV(遠赤外反射他)
- 5a-NB-9 SbSIの光双安定性
- 30a-H-10 SbSBrの相転移III : ラマン散乱
- 1a-H-7 SbSBrの相転移 II
- 27a-W-1 SbSBrの相転移
- 2a-C-3 SbSIの光照射効果
- 31a-BH-6 CdS_1-xSe_x の発光の温度依存性
- 31a-BD-1 SbSiの複屈折 II
- 10p-N-7 SbSIの複屈折
- 7p-W-4 GaSbの二次ラマン散乱
- 2a-SC-8 K_2ZnCl_4のラマン散乱
- 2H-MoS_2の共鳴ラマン散乱
- 30a-L-5 ZnTeの表面フォノンポラリトンによるラマン散乱 II
- 3a-B-8 4Hb-TaS_2のラマン散乱 II
- 1p-K-17 ZnTeの表面フォノンポラリトンによるラマン散乱
- 14a-U-7 SrTiO_3の二次ラマン散乱
- 4a-P-9 SrTiO_3の二次ラマン散乱II
- 12a-Y-8 Pbl_2のラマン散乱
- 6p-L-9 シリコンのラマン散乱 II
- 13p-P-6 シリコンのラマン散乱
- 6p-E-4 n型Siの急冷に於ける光伝導
- 30a-LN-13 強光励起下での半導体超格子中の励起子(イオン結晶・光物性)
- 30a-LE-3 NbSx(x〓3)のEXAFS(半導体)
- 1a-FB-2 (MSe_4)_nIの交流電気伝導(1a FB 半導体(擬一次元物質))
- 3p-D2-4 4Hb-TaSe_2のラマン散乱II(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)
- 30a-LE-7 η-Mo_4O_のラマン散乱II(半導体)
- 31a-E3-1 (NbSe_4)_3Iの構造相転移II(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)
- 30a-LE-5 (NbSe_4)_3Iの相転移とEXAFS(半導体)
- 30p-LB-7 転移近傍の非金属型Siにおける低温磁気抵抗(低温)
- 3p-D1-3 Si表面処理による格子欠陥と低温電気伝導(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
- 30p-FB-10 Si:Sbの金属非金属転移近傍における非金属型電気伝導(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
- 30a-CQ-2 Si : Sbの磁場中低温電気伝導(低温)
- 31a-H-2 Si:Sbの金属非金属転移近傍の電気伝導とホール係数(31aH 半導体(輸送現象))
- 31a-B1-2 半導体表面処理の低温電気伝導への影響(31a B1 低温)
- 29a-EA-5 Me_3S・TCNQ(I_3)_の構造(29a EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)