K-1714 常圧パルスプラズマCVD装置における電離化特性と成膜プロセスの解析(J08-4 熱流体現象の原子・分子論的アプローチ(4))(J08 熱流体現象の原子・分子論的アプローチ)
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概要
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CVD Film fabrication under the atmospheric pressure is required to attain highness productivity. This paper describes the film fabricating process analysis of atmospheric pulse plasma CVD, being paid attention to ionization characteristics higher film speed in the atmospheric pulse plasma CVD machine. The analytical technique is based on DSMC method including the estimation of cross sections for exciting, ionizing and chemical reacting against two inter-particles kinetic energy. The simulation is performed with change in pulse wave form and pressure. As a result, a voltage wave form having suddenly up-rush start is found to be preferable to ionization and fabrication.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2001-08-22
著者
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