921 異方導電性接着剤を用いたLSI素子接合部に生じる接合応力(GS-3 熱変形・高温疲労・熱疲労)
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概要
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This study deals with the bonding stress at flip-chip microjoints of LSI using an anisotoropic conductive adhesive. Bonding stress distribution were analyzed using a two-dimensional finite element method. The calculated results showed that the maximum normal stress at the outer bump-electrode interface differed from the inner one. Furthermore, some effects of Young's modulus and height of the substrate on normal stress at the bump-electrode interface were shown. As a conclusion, it was found that normal stress at the bump-electrode interface was able to be relaxed by reducing Young's modulus value of the substrate compared with that of bump-electrode.
- 2000-03-16
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