酸化物ターゲットを用いたDCスパッタITO膜 : プラズマ状態と基板温度の影響
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概要
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ITO (indium tin oxide) thin films have been prepared by the magnetron sputtering method. The effects of plasma conditions on ITO thin-film properties have been investigated by means of the Langmuir probe method. Furthermore, the effects of substrate temperature have been investigated. The following results were obtained : ( 1 ) Polycrystal ITO thin films were prepared at 40 ℃ substrate temperature. ( 2 ) High electron temperature (T_e) is necessary for ITO thin-film crystallization. Moreover, the magnetic field plays an important role in generating high-T_e plasma.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 1993-02-25
著者
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