電子材料・基礎科学 : Si_3N_4-SiO_2-Y_2O_3 偽3 成分系の相平衡関係と生成化合物の耐酸化性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1978-04-01
著者
関連論文
- 溶媒としてシリコンを用いて作成したSiC結晶の多形
- 昇華法によるSiC単結晶作成時の成長速度が結晶の多形及び積層欠陥におよぼす影響
- セラミックスガスタービン実現をめざして
- Si-Al-O-N 系に現れるムライト様化合物の組成
- 行革と国立研究機関
- 論理と情操
- 無機マテリアル研究と国立研究所
- この人にきく
- 共有結合性物質はなぜ難焼結合なのか?
- シリコン基非酸化物に関する研究
- 3p-B1-4 長周期SiC結晶
- 高分解能電子顕微鏡によるSiC結晶粒界の構造解析
- 炭化ケイ素焼結体の拡散クリープ
- 総説"焼結論の進歩"へのコメント
- β-SiC粉末の常圧焼結 : ホウ素と炭素の最適添加量
- 微粉末が保有する余剰エネルギー
- 固体の初期焼結過程に関する自由エネルギー理論
- 二つのSic結晶の接合
- Si3N4,SiC焼結体の高温クリ-プ
- SiN_4-SiO_2-Y_2O_3 系
- AIN-Sい_3N_4-Be_3N_2 系の相平衡
- 高分解能電子顕微鏡による SiC の積層状況の直接観察
- SiC 結晶の六方格子面内の回転によって得られる粒界のエネルギー
- アルミニウムとホウ素を添加して加圧焼結した炭化ケイ素の強度
- 14 MeV 中性子放射化法による窒化ケイ素中の酸素の分析
- 反応焼結β-サイアロンの強度
- SiC-Al_4C_3-B_4C 系の1800℃における相関係
- アルミニウムを含有した α-Sic 粉末加圧焼結体の強度
- AIB_2 添加による加圧焼結 SiC の微細組織
- 高温窯業ふん囲気下におけるSi-Al-O-N系化合物の蒸発
- Si_2ON_2-Y_2O_3-Al_2O_3成分系の1400℃における相関係
- 電子材料・基礎科学 : 反応焼結法によって得られる Sialon の性質と組成及び X-相の含量との関係
- 電子材料・基礎科学 : Si_3N_4-SiO_2-Y_2O_3 偽3 成分系の相平衡関係と生成化合物の耐酸化性
- 電子材料・基礎科学 : 窒化ケイ素及び炭化ケイ素焼結体の高温クリープ
- 基礎科学及び電子材料 : Sialon 反応焼結体の作成
- 基礎科学及び電子材料 : シリコン窒化生成物に及ぼす添加金属の影響
- 基礎科学及び電子材料 : フォード社による 1370℃での無冷却セラミックガスタービンエンジンの試験結果
- 基礎科学及び電子材料 : Be-Si-O-N 系に現れるポリタイプ
- 基礎科学及び電子材料 : 炭化ケイ素単結晶の破壊じん性
- Si_3N_4(60mol%)-Y_2O_3-Al_2O_3-SiO_2四成分系の1400℃における相平衡関係
- 141 Si_3N_4-Al_2O_3 系固溶体のイオン電導性(物性, 製鋼, 日本鉄鋼協会第 94 回(秋季)講演大会)
- シリコン粉末の窒化過程におよぼすFe_2O_3添加の影響
- 加圧焼結助剤として添加したMgOとSi_3N_4との反応
- 窒化珪素の加圧焼結助剤としてのZrO_2
- 窒化珪素の加圧焼結 : Mg-Si-N-O系化合物添加の場合
- Al_2O_3-Si_3N_4混合物の熱分解
- H_2-N_2系窒化雰囲気がSi_3N_4反応焼結体の性質に与える影響
- Si_3N4-AIN-Al_2O_3-SiO_2系の相図の検討
- Y_2O_3を加え加圧焼結したSi_3N_4焼結体の粒界相の結晶化と高温強度
- B_4Cを1%添加したSiCの加圧焼結
- 質量分析法を用いたシリコンの窒化過程の検討
- BおよびC添加によるSiCの焼結
- Al_2O_3を加え加圧焼結したSi_3N_4の微構造とエッチング
- 窒素雰囲気中におけるAl_2O_3とシリコンとの反応
- シリコン粉末の窒化
- シリコン粉末の窒化過程
- 窒化珪素反応焼結体表面にシリコンを含浸させた耐酸化性表面層
- β-Si_3N_4-α-Si_3N_4-Si_2N_2O系の1600℃以上における安定関係と加熱変化
- Si-N_2-O_2系, 1730℃におけるα-Si_3N_4の熱的な安定性
- Si_3N_4-C-N_2(1atm)系における窒化珪素の分解温度
- SiC単結晶の合成
- SiC単結晶の作成方法
- シリコン溶液から成長させた板状のα-Sic 単結晶
- SiC結晶作成時のβ-SiCの初期晶出現象
- Wurtzite形とSphalerite形構造の熱的な安定関係
- 昇華法によって育成したSiC単結晶の内包炭素粒について
- 4H-, 6H-SiCの安定性の安定性に及ぼす不純物アルミニウムの影響
- 昇華法による2H形SiCの合成とSiCの基本的な構造の熱的な安定性
- 15R形SiCの熱的な安定性とその生成
- β-Sicの加熱による構造変化と15Rの挙動
- Lely炉内に生成した2H形SiC Whisker
- SiC結晶の基本的な構造の熱的な安定性
- 昇華法による SiC 結晶の成長過程
- 昇華法による SiC 単結晶育成時の温度と育成結晶の構造との関係
- 昇華法による SiC 単結晶育成時の隔壁の作用
- セラミックスの破壊理論の問題点
- 4p-M-13 400kV高分解能分析電子顕微鏡の応用I : 高分解能観察
- 3p-E-11 陽電子の寿命 : AlN, SiC, M-S
- 表面・界面にまつわるミステリ-
- エンジン用セラミックスの現状と将来展望 (エンジン用セラミックスの現状と将来展望--素材を材料として使いこなすために-1-)
- 焼結理論の再構築 (セラミックスの焼結における最近の進歩)
- 高強度セラミックス : はさみからエンジンまで(新素材 : 先端技術を支える化学)
- 表面・界面にまつわるミステリー