SiC基板上に形成された高密度・高配向カーボンナノチューブ膜(第59回日本セラミックス協会学術賞受賞研究総説)
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概要
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Well-aligned carbon nanotube (CNT) films were found to self-organize by surface decomposition of SiC (0001) wafers. High-resolution transmission electron microscopy and atomic force microscopy revealed that hemispherical nanocaps are generated all over the surface in the initial stage from 1200 to 1250℃. The diameter of grown CNTs is determined initially with that of the initial nanocaps. Furthermore, corresponding electron diffraction patterns showed zigzag-type CNTs selectively grow by heat-treating at a small heating rate of 1℃/min. This is a unique method to synthesize CNTs with a unique structure. The CNTs are considered to be constructed by recrystallization with a slight diffusion of carbon atoms built around the skeleton of SiC. In this paper, the formation mechanism will be proposed from the view point of crystallography.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2005-10-01
著者
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