HIP焼結法による砒化ガリウムの緻密化
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概要
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GaAs was thermally analyzed in air using a TG-DTA apparatus prior to the densification. Result showed that GaAs was oxidized at 550℃. Then, normal sintering at 800℃ for 2 h was conducted under N_2 atmosphere. The sintered body did not density with a density of 3.93 g/cm^3 (relative density 74.0% T. D.). Therefore, green compacts of GaAs were encapsulated in glass containers under reduced pressure and densified by HIP treatment. Resultant densities increased with increasing temperature, pressure, and soaking time. The maximum density of 5.15 g/cm^3 (97.0% T. D.) was successfully achieved by the HIP treatment at 800℃ and 150 MPa for 2 h. Microstructures of the fracture surfaces observed with a scanning electron microscope (SEM) showed little pores.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1990-01-01
著者
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岩舘 泰彦
千葉大学工学部機能材料工学科
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服部 豪夫
千葉大学工学部機能材料工学科
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岩舘 泰彦
Graduate School of Engineering, Chiba University
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岩舘 泰彦
千葉大学工学部合成化学科
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服部 豪夫
千葉大 工
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富川 孝幸
千葉大学工学部合成化学科
-
服部 豪夫
千葉大学工学部合成化学科
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