低純度ケイ素を原料として二段焼結法で作製した窒化ケイ素の組織と強度
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概要
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Influence of sintering temperature on the strength and micro-structure were investigated on silicon nitride specimens fabricated by pressureless post-sintering process using low-purity silicon powder as raw materials. Densification of reaction-bonded silicon nitride with sintering aid did not proceed further upon setting the post-sintering temperature at 1600 or 1650°C due to the volatilization of species and poor sinterbility. Sintering at 1850℃ provided almost fully densified silicon nitride having an average strength of 521 MPa, the grains of this materials were relatively fine but did not develop into a rod-like shape.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2004-04-01
著者
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大角 和生
(株)いすゞ中央研究所
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飯塚 建興
(株)いすゞ中央研究所
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北 英紀
独立行政法人産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門高温部材化プロセス研究グループ
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北 英紀
(株)いすゞセラミックス研究所
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北 英紀
(株)いすゞ 中央研究所 基盤技術研究部
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平井 岳根
(株)いすゞ中央研究所
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平井 岳根
(株)いすゞ 中央研究所 基盤技術研究部
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飯塚 建興
(株)いすゞ 中央研究所 基盤技術研究部
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大角 和生
(株)いすゞ 中央研究所 基盤技術研究部
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日向 秀樹
(株)いすゞ中央研究所
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北 英紀
(独) 産業技術総合研究所
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