30p-E-13 強力X線照射された非晶質シリコンI.平均構造の変化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-03-17
著者
-
武藤 俊介
名大理工総研
-
Mccormick S.
Illinois大学
-
Yu K-M.
LBNL
-
Walukiewicz W.
LBNL
-
Walukiewicz W.
Lawrence Berkeley 研究所
-
Abelson J.R.
Illinois大学
-
Wang L.
Lawrence Berkeley研究所
-
Yu K-M.
Lawrence Berkeley研究所
関連論文
- 30aXC-2 シリコンSiL_ELNESの多重散乱解析
- 6a-S-10 電子照射による黒鉛の構造変化 : I.高分解能電子顕微鏡観察による局所構造変化
- 28a-E-1 電子照射による欠陥発生の結晶内電子流状態依存
- Al-Si共晶における固液界面のその場高分解能観察
- EXELFSによる黒鉛の照射損傷過程の解析
- 29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
- 7a-S-12 非晶質シリコンのシンクロトロン放射光照射効果
- 30p-E-14 強力X線照射された非晶質シリコンII.再結晶化挙動
- 31a-YX-4 100keV以下の電子ビームによる黒鉛薄膜の表面原子脱離
- 6a-S-11 電子照射による黒鉛の構造変化 : II.ELNES・EXELFSによる化学結合変化
- 28a-E-2 電子分光・電子顕微鏡法による黒鉛の照射損傷過程の解析
- 30p-E-13 強力X線照射された非晶質シリコンI.平均構造の変化
- 31a-YX-5 KeVエネルギーイオン照射によって形成された黒鉛表面畝構造の結晶学と形成機構
- 30pXD-12 最大エントロピー解析による時間分解 EXELFS 測定の試み
- 領域10「無秩序系における短・中距離秩序構造解析の最近の進展 : 回折強度測定とエネルギー吸収端微細構造法の比較」(2002年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
- 24pZL-4 スプラインウェーブレットによる電子エネルギー損失広域微細構造の解析
- 24pY-13 シンクロトロン放射光照射による非晶質シリコンの中距離構造緩和
- 24aWJ-8 TEM用CL測定用試料ホルダーの開発とテスト(24aWJ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))