30p-ZB-8 2層量子ホール系におけるスピン擬スピン量子位相とSU(4)スカーミオン
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
13pYB-10 2 層系ν=2 量子ホール状態の整合非整合相転移(量子ホール効果, 領域 4)
-
13pYB-9 2 層系量子ホール状態における電流方向と面内磁場方向の違いによる縦抵抗の異方性(量子ホール効果, 領域 4)
-
28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
-
28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
-
21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
-
31aZP-8 2 層系量子ホール状態における準位交差-反交差現象
-
25pXL-3 v=2/3量子ホール状態におけるドメイン構造の面内磁場依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27aXB-13 ν=2/3量子ホール状態におけるヒステリシスの異方性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20aYC-7 2層ν=1量子ホール状態における縦抵抗の2つの極小と異方性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24aYT-8 2層系ν=2/3状態における異方的電気伝導(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 理論
-
26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性(理論)
-
20pYK-13 2層系量子ホール状態における磁気抵抗のマイクロ波応答(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
23pWH-10 2層系v=1量子ホール状態における2層独立化と磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21pTH-4 ν=2/3状態のスピン相転移点における核スピン緩和時間の面磁場方向依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21pTH-11 2層系ν=1量子ホール状態における磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21pTH-12 2層系ν=1/3量子ホール状態における層間電子密度差に応じた活性化エネルギーの連続変化(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
18pRC-11 強面内磁場下での2層系ν=3量子ホール状態におけるヒステリシス現象(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
18pRC-10 2層系ν=1/3量子ホール状態における活性化エネルギーの電子密度差依存性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
25pXL-1 2層系υ=1/3量子ホール状態(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20aYC-10 2層系ν=2量子ホール状態における傾角反強磁性相(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
18pYH-1 v = 2/3量子ホール状態におけるヒステリシス現象
-
18aYH-9 2層系v=1量子ホール状態の電子密度差に対する励起状態の交差
-
27pTC-10 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差および総電子密度依存性
-
23pSA-8 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差依存性
-
30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(II)
-
30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(I)
-
30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(II)
-
30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(I)
-
8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II) : 層間量子位相の自発的発生
-
8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
-
8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II)層間量子位相の自発的発生
-
8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
-
30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
-
30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
-
4a-J-5 二層量子ホール系におけるジョセフソン効果 II : アンダーソン・プラズモン励起
-
4p-J-5 2層量子ホール系におけるジョセフソン効果II : アンダーソン・プラズモン励起
-
12a-K-7 量子ホール系に於けるジョセフソン効果とマイスナー効果
-
1p-M-5 多層ホール系に於けるジョセフソン効果と素電荷eの凝縮
-
23pSA-9 二層系量子ホール遷移におけるスピンと電荷分布の効果
-
27aXB-12 2層系ν=2量子ホール状態の傾角反強磁性相における横磁場の効果(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24aYT-9 2層系ν=1の面内磁場を加えたときの相図(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 実験
-
26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性(実験)
-
23aL-10 二層系量子ホール効果におけるスカーミオン励起
-
24pD-5 高移動度試料における低ランダウ準位2層系量子ホール状態
-
26p-YE-1 2層系量子ホール効果の新展開
-
23aL-9 二層量子ホール系におけるトンネリングとゼーマン効果の競合
-
24pD-4 二層量子ホール状態の電子配置と電子密度差に対する安定性
-
スピンとトポロジー--量子ホール効果とスキルミオン (特集 スピンはさらにめぐる--量子力学の誕生から現代物理まで)
-
2層量子ホール系における層間コヒーレント現象
-
28pYS-3 2層量子ホール系における層間量子位相とトンネル現象
-
28pYS-3 2層量子ホール系における層間量子位相とトンネル現象
-
30p-ZB-8 2層量子ホール系におけるスピン擬スピン量子位相とSU(4)スカーミオン
-
30p-ZB-8 2層量子ホール系におけるスピン擬スピン量子位相とSU(4)スカーミオン
-
8aSA-8 2層系における整数量子ホール効果と分数量子ホール効果の比較(分数量子ホール効果(理論,2層系),領域4)
-
25aSA-6 2層系ν=2/3量子ホール状態における複合フェルミオン間相互作用(25aSA量子ホール効果(発光,二層系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
25aSA-5 2層系ν=1量子ホール状態における励起状態のトンネル相互作用依存性(25aSA量子ホール効果(発光,二層系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク