30p-G-2 高配向ポリアセチレンのESR, ENDOR
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-03-16
著者
関連論文
- 3a-P-12 高配向ポリアセチレンのSOR分光
- 12a-Q-9 (CH)_xの電場変調分光
- 30p-QA-3 ドープしたポリアセチレンの物性
- 30a-G-8 臭素をドープしたポリアセチレンの帯磁率
- 30a-G-7 AsF_6をドープしたポリアセチレンのNMRT_1
- 2p-J-3 ポリアセチレンの^1HNMRと帯磁率
- 2p-J-2 ポリアセチレンの^C NMR
- 30a-L-6 ポリアセチレンおよびその誘導体における^C固体高分解能NMR
- 1B519 ポリアセチレン合成用スメクチック液晶溶媒の探索
- 27a-K-8 光照射によるAPT(m-n)LB膜のESRの変化
- 28a-YS-3 BO錯体LB膜の分子配向
- 3p-S-14 BO錯体LB膜のESRII
- 28a-YK-7 C_ LB膜のESR
- 12p-B-14 BO錯体LB膜のESR
- 12p-B-12 APT(8-12)のLB膜のESRの光照射による変化II
- 30a-C-7 APT(8-12)のLB膜のESRの光照射による変化
- 28a-K-2 長鎖ピリジウム(TCNQ)_2錯体LB膜の磁性と構造II
- 28a-M-11 長鎖ピリジニウム(TCNQ)_2錯体LB膜の磁性と構造
- 29p-ZF-13 電荷移動錯体LB膜のESR(XV) : (TMTTF)_3(C_TCNQ)_2膜の分子配向
- 28a-ZF-5 同位体置換メロシアニン色素LB膜のESR(II) : メチン鎖における^C置換の効果
- 25a-Z-5 電荷移動錯体LB膜のESR(XIV) : 長鎖Py(TCNQ)_2膜の分子配向
- 25a-Z-4 同位体置換メロシアニン色素LB膜のESR
- 5a-K-13 電荷移動錯体LB膜のESR(XIII)
- 2p-J-1 ヨウ素をドープしたポリアセチレンのMossbauer効果-3
- 2a-NE-2 ヨウ素をドープしたポリアセチレンのMossbauer効果-2
- 31a-S-8 ヨウ素をドープしたポリアセチレンのMossbauer効果
- 26p-J-2 シス-ポリアセチレン中のミュオン・ラジカル
- 25aYF-12 一次元直鎖状炭素カルビンモデル化合物の電子状態 (2)
- 23pS-13 一次元直鎖状炭素カルビンモデル化合物の電子状態
- 5a-K-12 電荷移動錯体LB膜のESR(X II)
- 5a-K-11 メロシアニン色素LB膜のESR(X VI)
- 31a-G-8 電荷移動錯体LB膜のESR (XI)
- 31a-G-6 メロシアニン色素LB膜のESR (XV)
- 31a-G-5 メロシアニン色素LB膜のESR (XIV)
- 6a-L-9 メロシアニンLB膜のESR(XIII)
- 6a-L-8 電荷移動錯体LB膜のESR(IX)
- 4p-S4-3 電荷移動錯体LB膜のESR(VII)
- 4p-S4-2 メロシアニン色素LB膜のESR(X1)
- 26a-J-12 電荷移動錯体LB膜のESR(V) : TMTTFを含む系
- 26a-J-11 電荷移動錯体LB膜のESR(IV) : C_Py(TCNQ)_2
- 26a-J-9 メロシアニン色素LB膜のESR(IX)
- 26a-J-8 メロシアニン色素LB膜のESR(VIII)
- 29a-QA-3 電荷移動錯体LB膜のESR
- 29a-QA-2 メロシアニン色素LB膜のESR (VI)
- ラングミュア・ブロジェット法の高度化とその分子素子への応用 (特集:バイオ素子研究開発) -- (バイオ素子研究開発の成果)
- 2C13 液晶性を有するポリチエニレン及びポリチエニレンビニレン誘導体の磁場配向化による電気的・光学的異方性の発現
- 2C12 液晶性芳香族共役系高分子の磁場配向化とその光学的異方性
- 2C04 キラルな液晶基を側鎖にもつ新規ポリチエニレン誘導体の合成と性質
- 2C03 側鎖型含フッ素強誘電液晶性ポリチオフェン誘導体の合成と性質
- PBa11 光学活性な液晶基を有するポリアセチレン誘導体とその強誘電性
- 1B09 不斉中心にフッ素を有する強誘電液晶性ポリアセチレン誘導体の合成とその性質
- 2D17 強誘電液晶性一置換ポリアセチレンの合成と性質
- 1AC08 液晶性を有する導電性ポリチエニレンの合成と性質
- 2p-J-4 ポリアセチレンのESR
- 2B06 液晶溶媒からなるアセチレン重合のための垂直反応場の構築
- 12a-Q-5 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光依存EXAFS
- 30a-G-12 臭素をドープしたポリアセチレンのEXAFS
- 26p-J-1 ポリアセチレンのμ^-SR
- 3p-NM-7 PASによる有機金属の反射率測定
- 高分子を語る : 60代から
- 3a-P-7 臭素およびヨウ素をドープしたポリアセチレンの構造
- 4p-YA-6 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルIII : XANES
- 4p-YA-5 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルI : EXAFS
- 2a-KD-8 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光EXAFS II : 濃度依存性
- 3PA01 軸性キラリティーを有する液晶分子の合成と性質
- 2B11 導電性高分子液晶の配向特性と電子・光物性
- 3p-C-1 中性ソリトンの分布-結晶とアモルファス領域
- 26p-J-5 高配向ポリアセチレンの磁気共鳴
- 導電性高分子研究のブレークスルーポリアセチレンの薄膜合成とドーピング
- 27a-M-9 ポリアセチレンのENDOR : 三重共鳴による負のスピン密度の検出(II)
- 24a-Z-2 ポリアセチレンのENDOR : 三重共鳴による負のスピン密度の検出
- 30p-G-2 高配向ポリアセチレンのESR, ENDOR
- 29p-J-1 ^CをエンリッチしたポリアセチレンのENDOR(II)
- 30a-G-5 ポリアセチレンのNMR, ESR線幅
- 2a-KD-4 ポリアセチレンの不純物低減化
- 30a-G-9 ポリアセチレンの極微量ドーピング領域における伝導度変化
- 12a-Q-3 臭素をドープしたポリアセチレンのESR
- 2p-J-5 ヨウ素をドープした(CH)_xのESR II
- 31p-K-7 ヨウ素をドープした(CH)_xのESR
- 2a-KD-9 ポリアセチレンのμSR
- 30a-G-4 ポリアセチレンのNMRT_1
- 2a-KD-5 電子スピンエコー法によるポリアセチレンのスピンダイナミックス
- 4p-YA-2 ポリアセチレンのESR,ESE
- 4p-YA-4 ポリアセチレンのENDOR(III) : 極低温におけるスペクトル
- 4p-YA-1 ESRから見たt-(CH)_x中の中性ソリトン・ダイナミクス
- 2a-KD-7 ポリアセチレンのENDOR(II)
- 2a-KD-6 t-(CH)_xのESRT_1^の温度変化
- 12a-Q-2 ポリアセチレンにおけるスピン密度分布(II)
- 12a-Q-1 t-(CH)_xのESRT_1の周波数依存性
- 30p-G-1 ポリアセチレンにおけるスピン密度分布
- 2p-J-6 ポリアセチレン中の不対π電子密度分布
- 31p-G4-8 ドープしたポリアセチレンの電子スピンエコー : 金属状態(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 28a-LC-7 高配向ナールマン・ポリアセチレンの磁気共鳴(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 2p-D4-1 ポリアセチレンのミュオンスピン磁気共鳴II(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 1a-EA-8 ポリアセチレンのミュオンスピン磁気共鳴III -ヨウ素ドーピング-(1a EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 2p-D4-5 t-(CH)_xのESR-中性ソリトン・ダイナミクスII(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 2p-D4-4 AsFs doped (CH)_xにおけるESR T_1の周波数変化(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 1a-EA-9 ドープしたポリアセチレンの電気伝導度の温度変化(1a EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 2p-D4-3 ポリアセチレンの電子スピンエコー(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 29p-CM-1 ^CをエンリッチしたポリアセチレンのENDOR(磁気共鳴)