24pYA-4 Spin-Peierls物質(p-CyDOV)_<1-x>(p-CyDTY)_xの磁場-温度相図
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-09-10
著者
-
鳴海 康雄
Crest:阪大極限セ
-
金道 浩一
阪大極限セ
-
向井 和男
愛媛大理
-
柳本 真伸
愛媛大理
-
丸山 英祐
大阪市大工
-
丸山 英祐
阪大極限セ
-
Mukai Kazuo
Dep. Of Chemistry Fac. Of Sci. Ehime Univ.
-
向井 和男
愛媛大・理・化学
関連論文
- 21pPSB-9 Sn ドープ InSb 薄膜強磁場 Shubnikov-de Haas 効果 II
- 29aZK-12 Sn ドープ InSb 薄膜の強磁場 Shubnikov-de Haas 効果
- 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
- 26p-PSA-35 近藤絶縁体YbB_における強磁場磁気抵抗の温度依存性
- 30a-W-4 近藤半導体YbB_単結晶の強磁場抵抗と磁化の異方性
- 23pSE-5 UPdInの高圧下、強磁場磁化過程
- Tb-Doped Glassの強磁場磁化過程とファラデー効果
- 2p-Z-2 Sm_Gd_xCuO_4の強磁場磁性
- Ce_La_Pの強磁場磁化測定
- 高感度帯磁率測定装置によるD_2Oの反磁性測定
- 31p-YG-5 高感度帯磁率測定装置による水の反磁性測定
- 29a-YL-2 U_XLa_Ru_2Si_2の強磁場ESR
- 29a-YN-10 Ce_xLa_Pの強磁場磁性
- 13a-W-9 La_2CuO_4の強磁場ESR
- 13a-W-7 URu_2Si_2の強磁場ESRIII
- 29p-B-9 URu_2Si_2の強磁場ESR I
- 27a-L-4 URu_2Si_2の強磁場ESR
- 27a-L-3 Gd_2CuO_4のESR
- 26p-L-5 Cr-dimerのESR
- 26p-L-3 NENP系物質の強磁場ESR
- ハルデン状態における素励起
- 29p-APS-60 DyCu_2の強磁場下におけるIsing-axis転換
- 25a-F-1 Nd_2CuO_4のAFMR
- 28aXL-11 強磁性相互作用を含むデルタ鎖モデル物質の強磁場磁化過程とESR(量子スピン系(一次元))(領域3)
- 12pPSA-2 室温強磁性 Mn ドープ GaN の研究(領域 4)
- 28a-YG-8 (Sm_xGd_)_2CuO_4のESR II
- 3p-H-4 (Sm_xGd_)_2CuO_4のESR
- 24p-F-4 CsMnBr_3のAFMR
- 25aYE-4 S=1ボンド交替鎖系の磁化過程(実験)
- 量子スピン系の強磁場磁化過程
- 一次元細孔中の酸素分子の磁性
- 一次元細孔中の酸素の磁性
- 30p-PSB-34 Ce_3Pt_3Bi_4及びCe_3Au_3Bi_4の物性
- 28a-YF-2 LaCoO_3の磁化と電子状態
- 3p-Z-8 U_2T_2Snの強磁場磁化 (T=遷移金属元素)
- 3p-Z-7 U_2T_2Inの強磁場磁化 (T=遷移金属)
- 30aYK-5 近藤半導体YbB_における強磁場磁気抵抗の温度依存性
- 22pPSA-7 Yb_Lu_xB_における強磁場磁気抵抗の温度依存性
- 24aZH-7 近藤半導体YbB_のLu希釈効果 : パルス強磁場による磁化と磁気抵抗
- 24pH-2 近藤絶縁体YbB_の強磁場における異方性
- 24pH-1 Yb_Lu_xB_の強磁場磁化と磁気抵抗
- 30a-W-2 CeRhSbの強磁場磁化とホール抵抗
- 5a-YF-3 CeRhSbの磁気抵抗とホール効果
- 24aE-11 Cs_2TCNQ_3および(Nme_4)_2TCNQ_3のプロトンNMR
- 31a-YN-1 TbNiSn, DyNiSn単結晶の磁気抵抗
- 31pXG-5 スピン 1/2 カゴメ格子反強磁性体の磁化過程
- 28a-YE-1 dilute-UAl_2の物性
- 14pPSB-27 パルス強磁場を用いたドハース・ファンアルフェン効果の装置開発(f-電子系, 領域 8)
- 12pWG-1 量子スピン系 KCuCl_3 の強磁場磁歪測定(量子スピン系 : 一次元及びクラスター, 領域 3)
- 12aPS-64 TmMn_6Sn_Ga_x における Ga ドープ量による磁化容易軸の変化(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
- 27aPS-111 パルス・ドハース法の開発(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- 29aPS-110 阪大マグネットを用いたパルス・ドハース法の開発
- 29a-YL-1 ErRu_2Si_2のESR
- 20pYD-3 単結晶YbPの強磁場磁化過程
- 28p-P-12 一次元磁性体CsCoCl_3・2H_2Oの強磁場磁化過程
- 8p-YF-5 U_Fe_4Si_のスピングラスと強磁場磁化
- 3a-B-10 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4のESRIII
- 30a-K-1 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4のESR II
- 5p-PSA-17 S=1反強磁性ダイマーの磁性
- 有機磁性体AATMPのESR
- 有機磁性体AATMPの磁気測定
- DyCuの強磁場磁化過程
- 29a-PS-60 反強磁性単結晶基板に蒸着した磁性金属薄膜の磁性と伝導特性
- 3a-H-9 RERu_2Si_2(RE=Tb, Dy, Ho, Er)のESR
- 19aPS-50 U化合物の強磁場磁化
- 24pE-3 Sr_3Fe_2 O_7の強磁場下における磁化測定
- 31a-P-3 CeNiSnの強磁場磁化と磁気抵抗効果
- CeNiSnの強磁場磁性とギャップ状態II
- 29a-YE-3 UPt_2Inの磁化過程と磁気抵抗
- 3p-Z-9 UT_2B_2C(T=Rh, Ni)の強磁場磁化
- 27aPS-106 S=1/2一次元反強磁性鎖Cu-pyrimidineの強磁場磁化過程(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- 21aTC-8 交替磁場が存在する 1 次元反強磁性鎖 Cu-pyrimidine の強磁場磁化
- 29p-M-1 超伝導体の素励起(Nambu-Goldstone Mode)とプラズマギャップの機構
- 29a-YE-5 USbの強磁場磁化過程
- 29aPS-74 DyAg の磁気相図
- 29aPS-74 DyAg の磁気相図
- 30a-PS-94 パルス強磁場下におけるマルテンサイト変態の時間依存性
- 31p-PSA-49 Mn-Rhの磁性
- ハルデン物質の強磁場磁化 : 単結晶と粉末の比較
- 31a-TG-6 NINOの強磁場ESR
- 29pXD-2 重い電子系超伝導体CePt_3Siの単結晶育成と磁性(重い電子糸超伝導(Ce系))(領域8)
- 28pPSA-22 PrRh_3B_2の単結晶育成と磁性、ドハース・ファンアルフェン効果(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
- 24aYQ-1 フェリ磁性鎖化合物Cu(3-Clpy)_2(N_3)_2の磁性
- 30p-Z-11 S=1/2 & 1フェリ磁性鎮化合物NiCu(pba)X_32X(X=H_2O,D_2O)の磁性
- 30p-Z-10 ハルデンギャップ系NDMAZの磁場中比熱II
- 24pG-1 近接一次近接相互作用のあるS=1/2鎖 : Cu(N_2H_5)Cl_3の強磁場磁化過程II
- 30a-PS-41 S=1 反強磁性交替ポンド鎖の強磁場磁化過程IV
- 5a-YH-5 近接-次近接相互作用のあるS=1/2鎖 : Cu(N_2H_5)Cl_3の強磁場磁化過程
- 5a-YH-1 S=1ボンド交替鎖におけるギャップレス点の実験的検証
- 31a-J-11 細孔中に吸着した酸素分子の磁性
- 28a-E-7 S=1反強磁性ボンド交替鎖化合物[{Ni_2(dpt)_2(μ-ox)(μ-N_3)}_n](PF_6)_nの磁性
- 22pG-11 スピンギャップ系CuNb_2O_6の強磁場磁化過程
- 25aYB-8 二次元スピンギャップ系SrCu_2(B0_3)_2の強磁場ESR
- 26aS-1 二次元スピンギャップ系SrCu_2(Bo_3)_2の磁性
- 24pYA-4 Spin-Peierls物質(p-CyDOV)_(p-CyDTY)_xの磁場-温度相図
- 28a-E-8 S=1反強磁性交替ボンド鎖化合物[Ni(333-tet)(μ-NO_2)](ClO_4)の強磁場磁化過程
- 31a-Z-5 (VO)_2P_2O_7及びVO(HPO_4)0.5H_2Oの強磁場磁化過程
- 30pXB-3 S=1反強磁性ボンド交替鎖系の強磁場ESR
- 22pG-4 S=1反強磁性ダイマー系の強磁場ESR
- 24aYQ-11 スピン1/2三角クラスター物質La_4Cu_3MoO_の磁性