3p-KG-10 Ge/Zn中の束縛励起子

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1984-03-12

著者

• 大塚 穎三

  阪大教養

• 中田 博保

  阪大教養

関連論文

• 30p-W-10 NiSi_2/Siにおける界面効果
• 3p-RM-9 Indium Tin Oxide薄膜の低温における磁気抵抗異常
• 31p-M-2 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンスIV
• 25a-ZG-11 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス III
• 30p-W-9 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス II
• 28a-N-10 Ge/Zn中の束縛励起子 II
• 28a-N-9 Ge/Zn中の束縛励起子
• 2a-B-4 Ge/Zn中の束縛励起子(ルミネッセンス)
• 2a-B-3 Ge/Zn中の束縛励起子(遠赤外磁気吸収)
• 1a-Pβ-11 Ge中のEHDの緩和時間に対する磁場効果
• 24a-M-3 EL2を含む半絶縁性GaAsの遠赤外磁気光吸収
• 5a-D-3 EL2を含む半絶縁性GaAsのマイクロ波パルス光伝導と遠赤外磁気光吸収
• 30a-C-5 半絶縁性GaAs中の電子・正孔プラズマからの発光
• 27p-M-3 Ge中の電子・正孔ガスの遠赤外吸収
• 31a-Y-2 MOVPE成長ZnSe中の電子正孔プラズマからの発光
• 5p-C-15 Free Exciton Binding Energy in Si and Ge Under Uniaxial Stress
• 5a-S4-4 Ge中の束縛励起子による遠赤外吸収の線幅
• 28p-D-10 ZnSe/MnSe超格子のフォトルミネセンスと帯磁率測定
• 4a-WB-15 ZnをドープしたGe中の励起子捕獲過程
• 1a-F-5 Ge中の電子・正孔液滴の不純物効果
• 4a-TC-7 TeをドープしたGe中の励起子
• 3a-A-4 Ge/Zn中のA^+中心
• 3p-KG-10 Ge/Zn中の束縛励起子
• 13p-S-4 GelZn中の束縛励起子
• 1a-Pα-9 光励起されたGe/Znの遠赤外磁気光吸収
• 時間分解法の多チャンネル化
• 3a-NL-17 Ge中のEHDのライフタイムに対する磁場効果
• 11p-E-12 n-InPの遠赤外磁気光吸収
• 2p-R-2 光励起遠赤外レーザーによるn-InSbの磁気光効果
• 13a-DE-13 GaAs/AlAs超格子中の励起子発光 II
• 1a-N-6 GaAs/AlAs超格子中の励起子発光
• 30p-M-6 Si中の金属不純物による散乱効果
• 30p-M-5 直接接着シリコンにおける界面の効果
• 27a-ZG-3 直接接着したシリコンにおけるサイクロトロン共鳴 II
• 26a-ZH-12 CdTe-ZnTe系超格子半導体のフォトルミネッセンス II
• Dynamics and Kinetics of Carrier System in Photoexcited Ge and Si Observed by Optically Detected Cyclotron Resonance
• 30p-W-8 直接接着したシリコンにおけるサイクロトロン共鳴
• 30p-W-7 ZnSe中のドナーによる遠赤外磁気光吸収
• 30p-W-6 ZnSeにおける光検知サイクロトロン共鳴
• 28p-W-1 CdTe-ZnTe系超格子半導体のフォトルミネッセンス
• 28p-D-11 lnSbの光伝導率に対する電場-磁場効果
• 28p-D-9 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果2
• 28p-D-1 電子線照射をしたシリコンにおけるサイクロトロン共鳴とフォトルミネッセンス
• 29p-K-4 Siへの水素注入の効果II
• 27p-M-5 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果
• 27p-M-4 CdTeの固有形光キャリアーの寿命
• 28p-G-13 ZnSe薄膜の遠赤外磁気光吸収
• 2a-A-4 Ge中の巨大電子-正孔液滴のルミネッセンス
• 27p-M-1 衝突解離過程における交換相互作用
• 1a-K-8 Ge中のEHDの遠赤外磁気光吸収
• 3a-B-2 電子正孔液滴の磁気振動
• 2a GE-10 Ge中のEHDの不純物効果
• 1p-BJ-4 液滴中の濃度に対する磁場及び不純物効果
• 4a-E-14 光検知サイクロトロン共鳴における高調波共鳴の増強
• 30a-Y-10 Siにおける光検知サイクロトロン共鳴
• サイクロトロン共鳴の光学的検出法
• 5p-C-2 Geにおける光検知サイクロトロン共鳴II
• 1a-KC-13 高純度ZnSeのサイクロトロン共鳴
• 27a-M-16 多結晶InPのフォトルミネッセンスとサイクロトロン共鳴
• 4a-E-11 多結晶InPの磁場中におけるフォトルミネッセンスとサイクロトロン共鳴
• 31a-Y-4 多結晶InPの遠赤外磁気光吸収 II
• 5p-C-1 多結晶InPの遠赤外磁気光吸収
• 24a-T-8 Siへの水素注入の効果
• 31a-Y-3 多孔質Si:Hの赤外吸収とフォトルミネッセンス
• 4a-E-12 CdTeの遠赤外磁気光吸収 II
• 31a-Y-5 CdTeの遠赤外磁気光吸収
• 5p-C-3 CdSの量子極限サイクロトロン共鳴 : ピエゾ・エレクトリック散乱
• 5a-S4-9 InSbの衝突イオン化による自発振動に対する磁場効果
• 5a-S4-8 GaAsの量子極限サイクロトロン共鳴の線幅II : 磁場依存性
• 5a-S4-7 CdSのサイクロトロン共鳴 : 圧電フォノン散乱
• 4a-WB-16 GaAsにおけるサイクロトロン共鳴吸収と電子散乱 : 温度依存性
• 30a-Y-9 シリコン中の酸素複合体による電子散乱
• 5p-C-16 酸素を含むシリコンの電子輸送現象
• 6a-B-6 Ge中の励起子,液滴の時間変化
• 30p-M-7 GaAs上に成長させたZnSe中のドナーにおける遠赤外吸収 II
• 27a-ZG-13 GaAs上に成長させたZnSe中のドナーによる遠赤外吸収
• 6a-B-5 n型およびp型ゲルマニウムにおける電子・正孔の長い寿命
• 28p-K-10 GaAs/AlAs超格子中の励起子発光 III
• 6p-A2-6 GaInAs-AlInAsヘテロ接合における二次元電子系の輸送現象
• 第16回半導体物理学国際会議 : II. 会議の印象
• 30a-LD-11 ZnSeのサイクロトロン共鳴における温度依存性(半導体)
• 30p-LD-7 深い不純物をドープしたGe中の電子-正孔液滴の再結合ダイナミクス(半導体)
• 30p-LD-5 n型およびp型GaAsにおける電子散乱(半導体)
• 30p-LD-6 光励起Geにおける励起子と自由担体のダイナミクス III(半導体)
• 30a-LD-14 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱 II(半導体)
• 30a-LD-10 光及び電場励起InxGa_Asの遠赤外磁気光吸収(半導体)
• 1a-L2-8 光励起Ge中の自由担体の拡散(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
• 1a-L2-3 GaAsの量子極限サイクロトロン共鳴の線幅(半導体,(輸送現象))
• 1a-L2-4 In_xGa_Asにおけるサイクロトロン共鳴と混晶散乱(半導体,(輸送現象))
• 30p-FB-5 高純度GaAsのサイクロトロン共鳴におけるスピン分離(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
• 30p-FB-3 InP,InAs,GaAsの遠赤外磁気光吸収における振動現象(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
• 30a-FC-7 ZnSeの2次元電子系における円偏波サイクロトロン共鳴(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 31a-H-6 半導体の量子極限サイクロトロン共鳴の線幅 : 音響変形ポテンシャル散乱(31aH 半導体(輸送現象))
• 31a-T-5 n,p型Si中における異常ミューオニウム緩和率の大小について(31aT 格子欠陥)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク