P. H. エーベルソン・M. ドーフマン編, 堂山昌男・山本良一訳: 新素材の開発と応用, I・II, 東京大学出版会, 東京, 1983, 1984, 2冊 (I:xiii+180ページ, II:iv+234ページ), 21×15cm, I: 2,200円, II: 2,500円.
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
-
2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
-
2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
-
2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
-
2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
-
2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
-
4a-WB-6 SbCl_5C_光電子分光(XPS,UPS)
-
3p-Q-13 P^+,As^+打込みSiの低温伝導と局在
-
2p-A-9 SbCl_5 GICの表面インピーダンス量子振動(II)
-
29a-G-14 C_8Kの誘導トルク効果
-
29a-G-7 SbCl_5-GICのフェルミ面研究
-
28a-B-13 SbCl_5-GlC_sの軌道帯磁率と面間相互作用
-
4a-WB-4 SbCl_5-GICのフェルミ面構成
-
3p-KH-11 SbCl_5-GlC_'sのdHvA効果とフェルミ面
-
3p-KH-9 グラファイトの磁至〜フェルミ面の一軸性圧力効果
-
28p-G-8 灰色スズ合金の半導体性と超伝導
-
27p-G-6 Bi-Sb超格子薄膜の熱電能
-
3p-WB-1 グラファイトのポイントコンタクトスペクトルII
-
P. H. エーベルソン・M. ドーフマン編, 堂山昌男・山本良一訳: 新素材の開発と応用, I・II, 東京大学出版会, 東京, 1983, 1984, 2冊 (I:xiii+180ページ, II:iv+234ページ), 21×15cm, I: 2,200円, II: 2,500円.
-
12p-E-1 インターカレーション化合物-前説-
-
錫の物性 (錫--合金,化合物の先端技術への応用)
-
4a-WB-7 GICの^CNMR II
-
4a-KH-12 グラファイト層間化合物の^C NMR III
-
4a-KH-9 K-GICsのスピン帯磁率と軌道常磁性
-
30p-LB-3 n+-Si薄膜・細線の低温電気伝導(低温)
-
2p-D4-6 n+-Si量子細線の伝導(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
-
2p-D4-6 n^+-Si量子細線の伝導(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
-
29p-CA-9 イオン打込みによって不純物制御したSiのHall素子への応用(低温)
-
29a-FB-11 SbCl_5-GlCsのフェルミ面構成II : 磁気破壊効果(29a FB 半導体(グラファイト,グラファイトインターカレーション))
-
29p-FB-1 GICの^CNMR III(29p FB 半導体(グラファイトインターカレーション・層状物質))
-
31a-B1-4 イオン打込みSiの低温伝導と局在(II) : 膜厚効果と磁気抵抗(31a B1 低温)
-
3a-D2-6 GICの^C・NMR(3a D2 半導体(グラファイトインターカレーション),半導体)
-
30a-CQ-1 B^+打込みSiの正孔系における正の磁気抵抗(低温)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク