12p-E-1 インターカレーション化合物-前説-

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1983-09-13

著者

• 田沼 静一

  群馬大工

• 田沼 静一

  群大工

関連論文

• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 2p-A-11 SbCl_5-GIC'sのdHvA効果
• 4a-WB-6 SbCl_5C_光電子分光(XPS,UPS)
• 3p-Q-13 P^+,As^+打込みSiの低温伝導と局在
• 2p-A-9 SbCl_5 GICの表面インピーダンス量子振動(II)
• 29a-G-14 C_8Kの誘導トルク効果
• 29a-G-7 SbCl_5-GICのフェルミ面研究
• 28a-B-13 SbCl_5-GlC_sの軌道帯磁率と面間相互作用
• 4a-WB-4 SbCl_5-GICのフェルミ面構成
• 3p-KH-11 SbCl_5-GlC_'sのdHvA効果とフェルミ面
• 3p-KH-9 グラファイトの磁至〜フェルミ面の一軸性圧力効果
• 28p-G-8 灰色スズ合金の半導体性と超伝導
• 27p-G-6 Bi-Sb超格子薄膜の熱電能
• 3p-WB-1 グラファイトのポイントコンタクトスペクトルII
• P. H. エーベルソン・M. ドーフマン編, 堂山昌男・山本良一訳: 新素材の開発と応用, I・II, 東京大学出版会, 東京, 1983, 1984, 2冊 (I:xiii+180ページ, II:iv+234ページ), 21×15cm, I: 2,200円, II: 2,500円.
• 12p-E-1 インターカレーション化合物-前説-
• 錫の物性 (錫--合金,化合物の先端技術への応用)
• 4a-WB-7 GICの^CNMR II
• 4a-KH-12 グラファイト層間化合物の^C NMR III
• 4a-KH-9 K-GICsのスピン帯磁率と軌道常磁性
• 4a-KH-6 GIC中のヘリコン波の伝播(II)、キャリヤーの符号の決定
• 28a-B-15 POCl_3黒鉛層間化合物の合成と電気的性質
• 28p-PS-50 高温超伝導物質のT_c近傍のHall効果
• 3p-WB-4 Yb-GICの合成と電気的性質の測定
• 1p-PS-56 酸化物超伝導体のマイクロ波電気伝導(低温(酸化物超伝導体))
• 27a-LD-10 ドウマ・***ルド・モデルを用いた黒鉛層間化合物の電気伝導率のステージ依存性の評価(半導体)
• 30p-LB-3 n+-Si薄膜・細線の低温電気伝導(低温)
• 2p-D4-6 n+-Si量子細線の伝導(主題:電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
• 2p-D4-6 n^+-Si量子細線の伝導(電気伝導における量子干渉効果,低温・半導体合同シンポジウム)
• 29p-CA-9 イオン打込みによって不純物制御したSiのHall素子への応用(低温)
• 29a-FB-11 SbCl_5-GlCsのフェルミ面構成II : 磁気破壊効果(29a FB 半導体(グラファイト,グラファイトインターカレーション))
• 29p-FB-3 SbCl_5-GICの輸送現象(29p FB 半導体(グラファイトインターカレーション・層状物質))
• 29p-FB-1 GICの^CNMR III(29p FB 半導体(グラファイトインターカレーション・層状物質))
• 31a-B1-4 イオン打込みSiの低温伝導と局在(II) : 膜厚効果と磁気抵抗(31a B1 低温)
• 3a-D2-6 GICの^C・NMR(3a D2 半導体(グラファイトインターカレーション),半導体)
• 3a-D2-1 層状BN・金属塩層間化合物の合成と同種GICとの比較(3a D2 半導体(グラファイトインターカレーション),半導体)
• 29p-FB-6 六方晶窒化ホウ素へのインターカレーション(29p FB 半導体(グラファイトインターカレーション・層状物質))
• 30a-CQ-1 B^+打込みSiの正孔系における正の磁気抵抗(低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク