8p-E-1 Si超微粒子のESR II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-09-16
著者
関連論文
- 29p-ZE-13 イオン注入したアモルファスSiO_2の常磁性欠陥に対するHイオン二重注入の効果 II
- 27a-W-12 Pb微粒子系の超伝導転移点近傍における抵抗の温度変化
- 25a-F-6 イオン注入したアモルファスSiO_2の常磁性欠陥に対するHイオン二重注入の効果 II
- 30p-X-5 Siイオンを注入したアモルファスSiO_2のEPRと光吸収
- 3a-S-9 金属微粒子の酸化膜
- 6a-ZE-8 超伝導金属微粒子系における粒子間接合
- 5a-ZC-2 Siイオンを注入したアモルファスSiO_2の常磁性欠陥に対するHイオン二重注入の効果
- 29a-S-4 Siイオンを注入したSiO_2の電子スピン共鳴
- 29a-QD-8 金属微粒子蒸着層における超伝導臨界磁場
- 29a-RC-3 酸素イオンを注入したシリコンの電子スピン共鳴 II
- 4p-F-12 MnF_2微粒子の強磁場磁化過程
- 1a-RC-1 MnF_2微粒子の常磁性共鳴III
- 30a-F-3 MnF_2微粒子の常磁性共鳴,III
- 30p-L-11 MnF_2 微粒子の常磁性共鳴
- 22p-T-2 Al微粒子の超伝導転移温度
- 30a-P-6 Li微粒子のESR
- 30a-P-5 Al微粒子膜における超伝導のゆらぎの効果
- 30a-P-4 微粒子の磁気共鳴 II
- 3p-D-8 ガス中蒸発法による金属微粒子膜の電気伝導 V
- 1p-GC-6 微粒子の磁気共鳴
- 14aTJ-4 非晶質 SiO_2 中の E_1' センターのアニールによる消失機構(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 27pC-3 Ge超微粒子の常磁性欠陥
- 25p-YE-11 Si超微粒子のESRIII
- Si超微粒子の常磁性欠陥 : 気相成長V
- 8p-E-1 Si超微粒子のESR II
- 30p-G-6 ポーラスSiのESR
- Si超微粒子のESR
- 1a-F-3 Si超微粒子の構造
- 29a-YL-1 ポーラスシリコンの常磁性欠陥
- 14aTJ-4 非晶質 SiO_2 中の E_1' センターのアニールによる消失機構(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 14aTJ-4 非晶質 SiO_2 中の E_1' センターのアニールによる消失機構(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- EuGa2S4ターゲットを用いたスパッタ膜の形成と発光
- 13p-Y-6 宇宙ガス蒸発実験
- 27a-ZG-5 無対流ガス中蒸発の蒸気密度分布の測定
- 27a-ZG-4 無重力ガス蒸発における蒸気圧分布の計算
- 3a-TB-5 ガス蒸発における微粒子の生成機構 II
- 30a-A-8 ガス蒸発における微粒子の生成機構 II
- 落下カプセルを用いた微小重力環境下でのガス中蒸発法による亜鉛微粒子の生成
- 26a-F-5 落下塔での低重力ガス蒸発実験における亜鉛粒子の生成
- Ti-V合金のT_1 : 磁気共鳴
- 地域社会との連携による実習体験教育
- 1p-GC-5 ガス中蒸発法による金属微粒子膜の電気伝導 IV
- 11a-F-10 ガス中蒸発法による金属微粒子膜の電気伝導 III
- 11a-F-9 ガス中蒸発法による金属微粒子膜の電気伝導 II
- ガス中蒸発法による金属微粒子の電気伝導 : 金属
- 静岡理工科大学における創造体験教育「創造・発見」の計画と実施
- インターンシップ実施5年間のまとめとこれからの展望--平成15年度インターンシップ実施報告
- 2a-G-6 銅合金の磁気共鳴II
- 教育関連報告 創造体験教育「創造・発見」の平成16年度実施報告
- 教育関連報告 平成16年度インターンシップ実施報告--インターンシップの教育効果の向上のために
- マイクロ波CVD法によるダイヤモンド系薄膜の形成とデバイスへの応用
- ガス中蒸発法による金属微粒子のNMR : 磁気共鳴
- 銅合金の磁気緩和 : 磁気共鳴
- 錯塩溶液中のプロトンのN.M.R. III(磁気共鳴)
- 12p-M-1 錯塩溶液中のプロトンのNMR II
- 6p-N-5 錯塩溶液中のプロトンのNMR
- セニアカー駆動用簡易型パワーコントローラ : 新カリ「創造・発見」対応教材の開発
- 29p-Q-3 上端加熱ガス蒸発実験(29pQ 結晶成長)
- 29a-Q-10 落下塔による無重量ガス蒸発実験(29aQ 結晶成長)
- 7pSK-3 非晶質SiO2中のEI'センターのアニールによる消失機構(格子欠陥・ナノ構造,領域10)