28p-Q-11 Bi_2Sr_2Ca_<1-x>Y_xCu_2O_yの赤外・遠赤外分光 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-09-14
著者
関連論文
- 29a-YJ-9 NPPy(TCNQ)_2の遠赤外分光 : 6Kで12.5cm^-1に活性化する吸収線の正体
- 3a-K-5 α_-NPPy(TCNDQ)_2の6Kの相転移の遠赤外分光による研究〜スピンパイエルス転移の可能性の検討〜
- 31p-G-2 1次元反強磁性のMEM(TCNQ)_2における2マグノン励起による遠赤外透過スペクトル
- 6a-S4-7 MEM(TCNQ)_2のソフトフォノン
- 5p-S4-1 導電性有機錯体の結晶成長X/MX_2(X=NCS,NCSe)を含むET錯体
- 13pPSA-35 高等植物光化学系 II のテラヘルツ分光(領域 5)
- 5a-N-6 TEACO_2レーザー励起NH_3のダイオードレーザーによる2重共鳴分光
- 27p-PS-140 Bi系超伝導薄膜の遠赤外透過スペクトルの温度変化III
- Bi系超伝導薄膜の遠赤外透過スペクトルの温度変化II
- 24pSF-9 La_Sr_MnO_3のフォノン線幅の異常な増大
- 8p-C-5 NPPy(TCNQ)_2におけるフォノン吸収の温度依存性
- P3MTの幅射無幅射緩和過程の観測
- 2p-B-13 MEM(TCNQ)_2のスピンパイエルス転移における2k_F電荷ゆらぎ
- 定常強磁場下におけるサブミリ波分光II
- 28p-K-7 α-NPPy(TCNQ)_2のCDW位相ずれ転移と誘電率
- 31a-YP-6 定常強磁場下におけるサブミリ波分光
- 4p-S-13 NPPy(TCNQ)_2の遠赤外分光 : 2-マグノン吸収II
- 4p-S-12 NPPy(TCNQ)_2の6Kにおける相転移
- 4p-S-10 MEM(TCNQ)_2の遠赤外分光 : 格子振動の磁場依存性II
- 29a-YJ-8 MEM(TCNQ)_2の遠赤外分光-格子振動の磁場依存性
- 29a-YJ-7 NPPy(TCNQ)_2の遠赤外分光 : 2マグノン吸収
- 1p-B-3 ポリチオフェン、ポリ(3-メチルチオフェン)の光音響分光
- 27p-M-9 ポリ(3-メチルチオフェン)の光音響分光
- 30a-YX-9 C_単結晶の電気抵抗と分子の回転運動のゆらぎ
- 2p-YG-2 固体有機物試料の時間分解遠赤外分光II
- 6p-G-1 固体有機物試料の時間分解遠赤外分光
- 31p-D-4 固体C_の赤外、遠赤外吸収と相転移
- 28a-PS-128 擬一次元磁性体CoNb_2O_6の遠赤外分光II
- 擬一次元磁性体CoNb_2O_6の遠赤外分光
- フ-リエ変換型分光計を用いた物性測定 (特集号) -- (ここまで来た分光技術)
- 28p-J-9 Bis(4-methoxyphenyl)methano[60]fullereneにおける遠赤外領域の吸収
- 31a-WB-3 C_の遠赤外分光III-α=ω^s(s=0.5〜1)の吸収の解明
- 2p-S-3 C_60の遠赤外分光III
- 31a-YE-10 Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_yの光伝導
- 24aC-8 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化
- 5a-Z-13 Bi系超伝導薄膜の遠赤外線領域における透過スペクトルの磁場依存性
- 5a-Z-11 Bi系超伝導薄膜の遠赤外領域における透過スペクトルの温度依存性
- 5a-YA-11 MEM(TCNQ)_2の格子振動II
- 4a-KD-5 MEM(TCNQ)_2の格子振動
- 28p-PS-15 酸化物超伝導体の遠赤外分光
- 28aTB-2 希薄磁性半導体GaMnAsの磁場下における遠赤外吸収スペクトル
- 22aK-5 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化II
- 25a-YN-3 超短パルスレーザー励起の遠赤外分光計による複素屈折率の測定
- 25p-YK-11 擬一次元磁性体CoNb_2O_6のサブミリ波ESR
- 5a-D-7 二光束変調型レーザー干渉計 III
- 3a GL-5 光励起遠赤外CH_3OHレーザーの同調曲線に現われる非対称ダブレット
- 6a-CM-9 2光東変調型遠赤外レーザー干渉計
- 30p-PSB-41 Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_yの赤外光照射時の電流応答スペクトル
- 30p-PSB-39 Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_yのIR・FIR透過測定(温度変化)
- 28p-Q-11 Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_yの赤外・遠赤外分光 II
- 31a-YK-8 C_の遠赤外分光 II
- 15a-B-11 C_の遠赤外分光
- 30a-G-3 ポリチオフェン・ポリピロールの光音響分光
- 12a-Q-10 ポリアセチレンの遠赤外分光I
- 27a-K-1 BEDT-TTFの格子振動と分子内振動
- 5p-S4-2 (BEDT-TTF)_2X塩の偏光反射スペクトル
- 29a-J-11 (BEDT-TTF)_2I_3の遠赤外分光 II
- 28p-PS-20 CVD法によるBi系超伝導薄膜の作製と輸送特性
- 5p-PS-70 酸化物超伝導体の遠赤外分光
- 27a-HF-10 MEM(TCNQ)_2単結晶の遠赤外分光 IV
- 1p-RG-9 シュタルクスイッチング法によるCH_3OHの過渡分光(III)
- 27p-G-2 シュタルクスイッチング法によるCH_3OHの過渡分光 (III)
- 2p-T-1 Si中の転位の遠赤外分光による研究V
- 2p-NJ-12 Si中の転位の遠赤外分光による研究 IV
- 2p-G-5 Si中のdislocationの遠赤外分光による研究III
- 4p-P-4 Si中のdislocationの遠赤外光分光による研究
- 31p-PS-112 Bi-Sr-Ca-Cu-O系超伝導体の結晶作製とその電気的測定
- 29a-H-7 Si(P)中の転位の遠赤外分光による研究 VII
- 30p-SG-10 Si(P)中の転位の遠赤外分光による研究
- ボロメ-タ-の較正法--吸収係数の絶対値を誤差5%まで決定できる (特集号) -- (遠赤外光検出器の展望)
- 28p-PS-21 Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_yの赤外・遠赤外分光
- 27a-QA-3 Na_V_2O_5の遠赤外分光
- 共振器内変換方式によるパラ水素ラマンレ-ザ-の16μmスト-クス光発振
- 29a-M-8 高濃度イオン打込みSiの研究 II
- 1a-F-12 高濃度イオン打込みSiの研究 I
- 1a-Pα-19 イオン打込みSiの表面波による研究I
- 27a-HF-9 NPP_y(TCNQ)_2単結晶の遠赤外分光 I
- 27a-J-7 ポリチオフェンの遠赤外分光 III
- 30p-U-13 遠赤外パルスレーザーを用ちいた回転緩和の研究
- TCNQ塩の構造相転移とフォノン (特集号) -- (低エネルギ-励起による新しい物性研究)
- 遠赤外光検出器の現状 (特集号) -- (遠赤外光検出器の展望)
- 30p-K-2 炭酸ガスレーザーのモードパターン評価による横モード制御
- 31a-Y-9 Ge(Ga)を用いた遠赤外レーザーの利得測定
- 31a-K-4 MEM(TCNQ)_2単結晶の遠赤外分光III
- 3a-NE-7 MEM(TCNQ)_2単結晶の遠赤外分光 II
- 28a-M-12 MEM(TCNQ)_2のスピンパイエルス転移に対する磁場効果
- 7pSB-1 Ga_Mn_xAsの赤外反射スペクトル(磁性半導体,領域4)
- 1p-PS-131 酸化物超伝導体の遠赤外分光II(低温(酸化物超伝導体))
- 28p-P-3 BEDT-TTFの分子内振動と赤外吸収スペクトル : 同位体効果(28pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(BEDT-TTF塩))
- 28p-P-4 BEDT-TTF塩の遠赤外分光 IV(28pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(BEDT-TTF塩))
- 31a-PS-85 酸化物超伝導体の遠赤外分光(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 1a-G4-9 MEM(TCNQ)2の低波数領域の遠赤外分光(分子性結晶・液晶・有機半導体)