12p-K-2 クラファイトのホール係数と3回対称性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1967-10-12

著者

• 杉原 硬

  松下無線研

• 杉原 硬

  松下電器無線研

• 小野 周佑

  松下電器・無線研

• 小野 周佑

  松下電器無線研

関連論文

• 2p-R-5 量子極限におけるn-InSbの縦磁気抵抗
• 6a-N-8 黒鉛単結晶のmagneto-Seebeck効果
• 12a-W-12 n-InSbのESRの線幅
• 4a-KL-7 n-InSbのESR
• 23a-G-20 量子極限におけるグラファイトの熱起電力
• 12a-H-2 Neel点付近の反強磁性半導体の熱起電力
• 3a-H-1 Cyclotron Resonance Harmonies in n-Type InSb
• 3p-B-1 磁性半導体のマグノン.ドラツグ効果
• 9p-B-16 反強磁性半導体のマグノン・ドラッグ効果
• 3a-N-9 n-InSbのESRの線幅とスピン格子緩和
• 3a-TC-4 n-型InSbのThermoelectric Power
• 18a-A-6 InSbのスピン緩和
• 15p-A-11 Biの熱起電力の磁場効果
• 15p-A-10 半金属のPhonon-Drag効果
• グラファイトの物性
• BiのThermomagnetic Effects II (理論) : 半導体 (半金属)
• Thermomagnetic Effects in Bismuth I. Experimental
• グラファイトのホール効果 : 半導体(界面, 半金属)
• グラファイトの熱起電力 : 半導体(界面, 半金属)
• 1p-G-11 Cr^,Mn^のスピン格子授和に対するコメント
• 2a-F-8 LiNbO_3中のMn^のESR
• 6a-M-7 Quantum Limitにおけるグラファイトの熱起電力
• 10a-A-12 グラファイトの輸送現象
• L. Pietronero and E. Tosatti 編: Physics of Intercalation Compounds; Proceedings of an International Conference, Trieste, 1981, Springer-Verlag, Berlin and New York, 1981, 322ページ, 24×16cm, 8,400円.
• GICのGulvanomagnetic Properties(インターカレーションの機構と物性(第2回),科研費研究会報告(1981年度))
• 31p-E-6 GICのGalvanomagnetic properties
• Graphite Acceptor Compounds DHVA効果と輸送現象(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 3p-NGH-12 Graphite acceptor compounds(GAC)のmagnetsthermal oscillation
• 3p-NGH-11 Graphite acceptor compounds(GAC)の輸送現象
• 31p-K-8 C_8Kのホール効果とキヤリヤー-キヤリヤ-散乱
• 29a-E-10 グラファイトのAME(Acousto magneto electric)効果 (理論)
• 3p-Q-7 Mutual Drag Effect and Right-Leduc Effect in Antimony
• 3p-Q-6 アルカリ金属のRight-Leduc効果
• 31p GD-11 量子極限におけるグラファイトの熱起電力
• 3p-DS-18 強く補償されたn-InSbの磁場中のホッピング伝導
• 3p-DS-16 量子極限におけるグラファイトの熱起電力
• 3a-BJ-10 強磁場中のグラファイトの電流磁気効果
• 10p-R-10 磁場中のホッピング伝導へのクーロン・ギャップの効果
• 8a-B-12 強磁場中のn-InSbのvariable Range Hopping
• 5p-B-1 量子極限における半金属の不純物状態
• 6p-U-2 反強磁性半導体の輸送現象
• 12p-F-9 広いバンドをもつ反強磁性半導体の輸送現象
• 8a-B-3 薄い黒鉛結晶のホール係数
• 5p-R-4 グラファイトのC軸電気抵抗
• 5a-M-2 反強磁性半導体の有効質量
• 12p-K-2 クラファイトのホール係数と3回対称性
• グラファイトのGlavanomagnetic Properties : 半導体(半金属)
• グラファイトの輸送係数 : 半導体(半金属)
• Heavily doped Siの浅いドナーのスピン共鳴II(半導体(スピンレゾナンス))
• 13a-R-1 半導体のスピン格子緩和
• 13a-K-13 Siのドナー電子のスピン格子緩和
• Si におけるドナー電子のスピン格子緩和
• 4p-G-2 補償しないSiの浅いドナーのスピン-格子緩和
• グラファイトのCurrent Carrirsのg-shift : 半導体(半金属)
• グラファイトのスピン格子緩和
• Heavily Doped Siの浅いドナーのスピン格子緩和(II) : 半導体(Si, Ge)
• Heavily doped Si のドーナーのスピン共鳴 : 半導体
• 6p-N-10 異常表皮効果領域での局在スピンの磁気共鳴
• 9a-Q-1 常磁性塩の磁気イオンの核四重極共鳴の可能性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク