杉原 硬 | 松下無線研
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概要
関連著者
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杉原 硬
松下無線研
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杉原 硬
日本薬学
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杉原 硬
松下電器無線研
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松下材料研
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松下電器材料研
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小野 周佑
松下電器・無線研
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松下材研
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松下中研
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松下電器中研
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小野 周佑
松下電器無線研
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杉原 硬
松下電器.無線.
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田沼 静一
東大物性研
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杉原 硬
日大薬学
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Farag B.S
東大物性研
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徳本 圓
産総研
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吉広 和夫
電総研
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山内 睦子
電総研
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徳本 円
電総研
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徳本 圓
電子技術総合研究所
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斧 昭雄
武蔵工大物
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斧 昭雄
武蔵工大 教養
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竹沢 武重
日大理工
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都竹 卓郎
日大理工
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渡部 昭典
松下中研
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都竹 貞郎
日大理工
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菱山 宥幸
武蔵工大
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Takezawa Mangez
MIT
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Dresselhaus Hewes
MIT
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松下電機無線研
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杉原 硬
松下電器・無線研
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竹田 武司
松下中研
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徳本 圓
Electrotechnical Laboratory
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徳本 圓
電子技術総合研究所 材料科学部
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竹沢 武重
MIT. National Magnet Lab.
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佐藤 久直
松下電器 無線研
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竹沢 武重
日大短大(習志野)
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徳本 円
防衛大学校応用物理学科
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Woollam J.A.
NASA Lewis Research Center
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佐藤 久直
松下電器.無線.
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斧 昭雄
武蔵工大
著作論文
- 2p-R-5 量子極限におけるn-InSbの縦磁気抵抗
- 6a-N-8 黒鉛単結晶のmagneto-Seebeck効果
- 12a-W-12 n-InSbのESRの線幅
- 4a-KL-7 n-InSbのESR
- 23a-G-20 量子極限におけるグラファイトの熱起電力
- 12a-H-2 Neel点付近の反強磁性半導体の熱起電力
- 3a-H-1 Cyclotron Resonance Harmonies in n-Type InSb
- 3p-B-1 磁性半導体のマグノン.ドラツグ効果
- 9p-B-16 反強磁性半導体のマグノン・ドラッグ効果
- 3a-N-9 n-InSbのESRの線幅とスピン格子緩和
- 3a-TC-4 n-型InSbのThermoelectric Power
- 18a-A-6 InSbのスピン緩和
- 15p-A-11 Biの熱起電力の磁場効果
- 15p-A-10 半金属のPhonon-Drag効果
- グラファイトの物性
- BiのThermomagnetic Effects II (理論) : 半導体 (半金属)
- Thermomagnetic Effects in Bismuth I. Experimental
- グラファイトのホール効果 : 半導体(界面, 半金属)
- グラファイトの熱起電力 : 半導体(界面, 半金属)
- 1p-G-11 Cr^,Mn^のスピン格子授和に対するコメント
- 2a-F-8 LiNbO_3中のMn^のESR
- 6a-M-7 Quantum Limitにおけるグラファイトの熱起電力
- 10a-A-12 グラファイトの輸送現象
- L. Pietronero and E. Tosatti 編: Physics of Intercalation Compounds; Proceedings of an International Conference, Trieste, 1981, Springer-Verlag, Berlin and New York, 1981, 322ページ, 24×16cm, 8,400円.
- GICのGulvanomagnetic Properties(インターカレーションの機構と物性(第2回),科研費研究会報告(1981年度))
- 31p-E-6 GICのGalvanomagnetic properties
- Graphite Acceptor Compounds DHVA効果と輸送現象(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
- 3p-NGH-12 Graphite acceptor compounds(GAC)のmagnetsthermal oscillation
- 3p-NGH-11 Graphite acceptor compounds(GAC)の輸送現象
- 31p-K-8 C_8Kのホール効果とキヤリヤー-キヤリヤ-散乱
- 29a-E-10 グラファイトのAME(Acousto magneto electric)効果 (理論)
- 3p-Q-7 Mutual Drag Effect and Right-Leduc Effect in Antimony
- 3p-Q-6 アルカリ金属のRight-Leduc効果
- 31p GD-11 量子極限におけるグラファイトの熱起電力
- 3p-DS-18 強く補償されたn-InSbの磁場中のホッピング伝導
- 3p-DS-16 量子極限におけるグラファイトの熱起電力
- 3a-BJ-10 強磁場中のグラファイトの電流磁気効果
- 10p-R-10 磁場中のホッピング伝導へのクーロン・ギャップの効果
- 8a-B-12 強磁場中のn-InSbのvariable Range Hopping
- 5p-B-1 量子極限における半金属の不純物状態
- 6p-U-2 反強磁性半導体の輸送現象
- 12p-F-9 広いバンドをもつ反強磁性半導体の輸送現象
- 12p-K-2 クラファイトのホール係数と3回対称性
- グラファイトのGlavanomagnetic Properties : 半導体(半金属)
- グラファイトの輸送係数 : 半導体(半金属)
- Heavily doped Siの浅いドナーのスピン共鳴II(半導体(スピンレゾナンス))
- 13a-R-1 半導体のスピン格子緩和
- 13a-K-13 Siのドナー電子のスピン格子緩和
- Si におけるドナー電子のスピン格子緩和
- 4p-G-2 補償しないSiの浅いドナーのスピン-格子緩和
- グラファイトのCurrent Carrirsのg-shift : 半導体(半金属)
- グラファイトのスピン格子緩和
- Heavily Doped Siの浅いドナーのスピン格子緩和(II) : 半導体(Si, Ge)
- Heavily doped Si のドーナーのスピン共鳴 : 半導体
- 6p-N-10 異常表皮効果領域での局在スピンの磁気共鳴
- 9a-Q-1 常磁性塩の磁気イオンの核四重極共鳴の可能性