杉原 硬 | 松下電器無線研
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概要
関連著者
著作論文
- 3p-B-1 磁性半導体のマグノン.ドラツグ効果
- 9p-B-16 反強磁性半導体のマグノン・ドラッグ効果
- 3a-N-9 n-InSbのESRの線幅とスピン格子緩和
- 3a-TC-4 n-型InSbのThermoelectric Power
- 18a-A-6 InSbのスピン緩和
- 15p-A-11 Biの熱起電力の磁場効果
- 15p-A-10 半金属のPhonon-Drag効果
- グラファイトのホール効果 : 半導体(界面, 半金属)
- 12p-K-2 クラファイトのホール係数と3回対称性
- グラファイトのGlavanomagnetic Properties : 半導体(半金属)
- グラファイトの輸送係数 : 半導体(半金属)
- Heavily doped Siの浅いドナーのスピン共鳴II(半導体(スピンレゾナンス))
- 13a-R-1 半導体のスピン格子緩和
- 13a-K-13 Siのドナー電子のスピン格子緩和
- Si におけるドナー電子のスピン格子緩和
- グラファイトのCurrent Carrirsのg-shift : 半導体(半金属)
- グラファイトのスピン格子緩和
- Heavily Doped Siの浅いドナーのスピン格子緩和(II) : 半導体(Si, Ge)
- Heavily doped Si のドーナーのスピン共鳴 : 半導体