6a-N-8 黒鉛単結晶のmagneto-Seebeck効果
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
MoCl_5GlCのc軸伝導、縦負磁気抵抗の理論
-
ホイスラー合金Fe_V_Gaの巨大磁気抵抗効果と磁性
-
2a-E-9 Cu-Fe合金の低温における輸送現象
-
3a-R-11 銅-鉄 合金の熱電能
-
2a-TA-2 グラファイトの低温における熱電能異常
-
29a-E-13 多結晶、黒鉛のフォノンドラグ熱電能
-
熱分解黒鉛の電流磁気効果(ノ-ト)
-
微電圧測定(実験技術講座-6-)
-
3p-N-14 黒鉛のC軸方向の電気伝導について
-
3p-N-13 黒鉛のフォノンドラグ熱電能
-
3p-N-12 黒鉛のネルンスト効果
-
1p-TC-6 黒鉛の熱電効果
-
15p-A-16 中性子照射黒鉛の電子的性質
-
15p-A-15 黒鉛のHell係数と磁気抵抗の磁場依存性
-
14a-L-5 黒鉛の硝酸塩化合物の電子的性質
-
12p-K-1 キッシュ黒鉛の電子的性質II
-
4a-G-3 黒鉛硝酸塩残留化合物の電気磁気効果
-
4a-G-2 キッシュ黒鉛の電子的性質
-
Tl-Sn系の状態図 : 金属
-
2p-R-5 量子極限におけるn-InSbの縦磁気抵抗
-
28a-PS-89 ホイスラー型Fe_V_(Ga, Al)系のGMR, 磁性, 電子比熱
-
(58)教養ゼミナール : 物理実験教育ゼミナールの試み(第16セッション 個性化・活性化)
-
(46)武蔵工業大学の教材開発活動の報告(第14セッション 教材の開発(II))
-
30p-YH-3 一私立工科系単科大学における物理ばなれの現状
-
6a-N-8 黒鉛単結晶のmagneto-Seebeck効果
-
黒鉛のphonon drag thermopower : 半導体(界面, 半金属)
-
12a-W-12 n-InSbのESRの線幅
-
4a-KL-7 n-InSbのESR
-
23a-G-20 量子極限におけるグラファイトの熱起電力
-
12a-H-2 Neel点付近の反強磁性半導体の熱起電力
-
3a-H-1 Cyclotron Resonance Harmonies in n-Type InSb
-
3p-B-1 磁性半導体のマグノン.ドラツグ効果
-
9p-B-16 反強磁性半導体のマグノン・ドラッグ効果
-
3a-N-9 n-InSbのESRの線幅とスピン格子緩和
-
3a-TC-4 n-型InSbのThermoelectric Power
-
18a-A-6 InSbのスピン緩和
-
15p-A-11 Biの熱起電力の磁場効果
-
15p-A-10 半金属のPhonon-Drag効果
-
グラファイトの物性
-
BiのThermomagnetic Effects II (理論) : 半導体 (半金属)
-
Thermomagnetic Effects in Bismuth I. Experimental
-
グラファイトのホール効果 : 半導体(界面, 半金属)
-
グラファイトの熱起電力 : 半導体(界面, 半金属)
-
1p-G-11 Cr^,Mn^のスピン格子授和に対するコメント
-
2a-F-8 LiNbO_3中のMn^のESR
-
6a-M-7 Quantum Limitにおけるグラファイトの熱起電力
-
5p-D-6 ICl-GlCsの熱電能
-
ポリ塩化ビニル炭焼結体の反磁性磁化率と磁気抵抗 結晶子配向に関連して
-
炭素材および黒鉛材のホール電圧・磁気抵抗の磁場依存性の自動測定
-
γ-AlMgの電子構造 : 金属
-
6p-K-1 Tl-Sn系におけるTl側の輸送現象
-
5p-D-14 カリウム-水素-GlCsの熱電能の理論
-
6a-C-2 磁性GICsの輸送現象
-
10a-A-12 グラファイトの輸送現象
-
L. Pietronero and E. Tosatti 編: Physics of Intercalation Compounds; Proceedings of an International Conference, Trieste, 1981, Springer-Verlag, Berlin and New York, 1981, 322ページ, 24×16cm, 8,400円.
-
GICのGulvanomagnetic Properties(インターカレーションの機構と物性(第2回),科研費研究会報告(1981年度))
-
31p-E-6 GICのGalvanomagnetic properties
-
Graphite Acceptor Compounds DHVA効果と輸送現象(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
-
3p-NGH-12 Graphite acceptor compounds(GAC)のmagnetsthermal oscillation
-
3p-NGH-11 Graphite acceptor compounds(GAC)の輸送現象
-
31p-K-8 C_8Kのホール効果とキヤリヤー-キヤリヤ-散乱
-
29a-E-10 グラファイトのAME(Acousto magneto electric)効果 (理論)
-
3p-Q-7 Mutual Drag Effect and Right-Leduc Effect in Antimony
-
3p-Q-6 アルカリ金属のRight-Leduc効果
-
31p GD-11 量子極限におけるグラファイトの熱起電力
-
3p-DS-18 強く補償されたn-InSbの磁場中のホッピング伝導
-
3p-DS-16 量子極限におけるグラファイトの熱起電力
-
3a-BJ-10 強磁場中のグラファイトの電流磁気効果
-
10p-R-10 磁場中のホッピング伝導へのクーロン・ギャップの効果
-
8a-B-12 強磁場中のn-InSbのvariable Range Hopping
-
5p-B-1 量子極限における半金属の不純物状態
-
6p-U-2 反強磁性半導体の輸送現象
-
12p-F-9 広いバンドをもつ反強磁性半導体の輸送現象
-
12p-K-2 クラファイトのホール係数と3回対称性
-
グラファイトのGlavanomagnetic Properties : 半導体(半金属)
-
グラファイトの輸送係数 : 半導体(半金属)
-
Heavily doped Siの浅いドナーのスピン共鳴II(半導体(スピンレゾナンス))
-
13a-R-1 半導体のスピン格子緩和
-
13a-K-13 Siのドナー電子のスピン格子緩和
-
Si におけるドナー電子のスピン格子緩和
-
4p-G-2 補償しないSiの浅いドナーのスピン-格子緩和
-
グラファイトのCurrent Carrirsのg-shift : 半導体(半金属)
-
グラファイトのスピン格子緩和
-
Heavily Doped Siの浅いドナーのスピン格子緩和(II) : 半導体(Si, Ge)
-
Heavily doped Si のドーナーのスピン共鳴 : 半導体
-
6p-N-10 異常表皮効果領域での局在スピンの磁気共鳴
-
9a-Q-1 常磁性塩の磁気イオンの核四重極共鳴の可能性
-
29a-FB-1 Low temperature anomalies in the thermoelectric power of highly oriented graphite
-
3a-A-10 一私立工科系単科大学における物理ばなれの現状とその対応(3aA 物理教育,物理教育)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク