分子性結晶のESR : 分子性結晶シンポジウム

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1965-04-06

著者

• 山口 次郎

  阪大基礎工

• 升田 公三

  阪大基工

• 山口 次郎

  阪大基工

関連論文

• 6a-H-10 GaSeのElectro-Reflectance I
• 9a-C-7 アンスラセンーテトラセン混晶の発光
• 3p-K-5 放射線照射したアンスラセン単結晶の光吸収とESR
• 水中におかれたSeの振舞 : 半導体
• 19F-11 Geの表面電子状態について
• 磁界中のGe Sliceの電気振動IV : Instabilityの成長条件と周波数 : 半導体 : 理論と不安定性
• 注入電流の電流磁場効果 I : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
• 14a-M-2 フタロシアニン類の常磁性共鳴
• 4a-K-7 銅フタロシアニン混晶の磁気共鳴
• Diluted DPPHのESR : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• DPPH単結晶の電気伝導における圧力効果 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• 銅フタロシアニンの混晶の電気伝導 II : 分子結晶・有機半導体
• 1a-L-1 銅フタロシアニン混晶の電気伝導
• 12a-K-9 Ge-Si n-nヘテロジャンクションのconduction mechanism
• 3a-G-5 Ge-Si n-n Heterojunctionsの電流伝導機構
• Ge-Si n-nヘテロ接合の電位障壁 : 半導体 : ダイオード,不安定
• Ge-Si Heterojunctions : 半導体(ダイオード)
• M-O-Sダイオードと表面準位 : 半導体
• 1p-L-5 銅フタロシアニンの光導電特性
• 14a-M-1 銅フタロシアニンの光伝導 IV
• 4a-K-6 銅フタロシアニンの光伝導III
• 銅フタロシアニンの光伝導 II : 分子結晶・有機半導体
• Phthalocyanineの光伝導 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• ESRによるDPPH_2の放射線効果 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• DPPHの電気伝導 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• DPPHとDPPH-H混晶のESR : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• DPPH・Hの電気伝導 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• 6p-L-1 DPPH単結晶中の不対電子による電気伝導
• DPPH単結晶のconductivityとESR : 半導体(化合物・有機)
• ベンゼン溶液中のDPPHのConductionのESRによる考察 : 半導体(化合物・有機)
• 有機半導体(DPPH等)のconductivityとESR(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• 14a-A-5 Ge Grain Boundary Sheetの高電界特性
• Siへのイオン注入 : 荷電ビームと応用
• 6a-H-12 低温におけるGeのElectro-reflectance
• 6a-H-11 ZnSeのElectro-reflectance I
• 2a-H-4 Ge-Si n-n Heterojunctionの堰層
• 1p-L-3 有機半導体への電子注入
• 1a-L-5 ペリレン・ヨウ素,ビレン・ヨウ素の電気伝導
• 1a-L-2 フタロシアニンの磁気共鳴
• 15a-K-15 Ge slice中の電流振動とマイクロ波 II
• 13p-M-6 有機半導体へのホットエレクトロンの注入
• 13p-M-5 ピレン・ヨウ素間錯化合物の高周波電気伝導
• 13a-K-2 GeのFranq-Keldysh効果
• 7p-G-11 Ge slice中の電流振動とマイクロ波
• 4a-K-4 ピレン,ヨウ素化合物を中心とした電荷移動型錯化合物の電気伝導機構
• 3p-K-4 アンスラセン・テトラセン混晶の蛍光の飽和
• 3p-K-3 アンスラセン-テトラセン混晶の2光子吸収 II
• 1a-TE-8 アンスラセンーテトラセン混晶の2光子吸収
• イオン・インプランティション(II) : 荷電ビームと応用シンポジウム : 荷電ビームのICへの応用
• ペリレン・ヨウ素錯化合物の電気伝導 : 分子結晶・有機半導体
• 20F-3 CdSe蒸着膜を有するSe整流器の整流機構
• 10A6 CdSe蒸着膜を有するSe整流器の静電容量特性
• 17G-10 CdSe蒸着膜を有するSe整流器
• 密度勾配による磁界中Ge sliceの電流振動 : 半導体(不安定性)
• Ge slice中のCarrier Convection : 半導体 : 不安定性
• 9p-F-2 磁界中のGe Sliceの電気振動 III
• 磁界中のGeSliceの電気振動II : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
• 磁界中のGe sliceの電気振動(半導体(プラズマ))
• 磁界中のGe Sliceの電気振動V : 電気伝導と発振 : 半導体 : 理論と不安定性
• Siの表面状態 II : 半導体
• 3p-L-8 Gep-n接合の表面漏れ電流の時間効果 II
• 11a-M-8 Ge p-n接合の表面漏れ電流の時間効果
• 30p-E-3 フタロシアニンの光伝導と電気伝導
• 11a-A-4 ESRによるhigh doped Si及びGeのmobility
• Ge薄片中のCarrier Convection : 半導体 : 不安定,輸送
• Ge磁気堰層のHydrodynamic Stability : 半導体(不安定性)
• 磁界中のGe Sliceの電気振動VI : 発振周波数 : 半導体 : 理論と不安定性
• 8p-C-19 フタロシアニンの光電導と電気伝導
• 3p-K-9 フタロシアニンの電気伝導
• 1a-TE-4 フタロシアニンの電気伝導とESR
• フタロシアニンの電気伝導と光伝導 : 分子結晶・有機半導体
• DPPH・ヨウ素の分子間化合物,電気的,磁気的性質 : 分子結晶・有機半導体
• 4p-L-9 Siの表面状態
• 絶縁物薄膜を通しての電気伝導特性 : 表面物理, 薄膜
• 赤外吸収による注入担体の観察 : 半導体
• タンタル酸化膜を通しての電気伝導特性(II) : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
• 9p-M-3 Siの表面再結合速度と電場効果による表面伝導度の変化
• 5p-A-6 ある種のOscillistor振動
• 14p-A-13 Geの磁気堰層効果
• 磁界によるGeの障壁層効果 : 半導体
• 7p-L-13 SiO_2膜のB_20_3拡散に対するMask作用II
• Si表面上のSiO_2膜のB_2O_3拡散に対するMask作用 : 半導体
• DDPHの電気伝導に及ぼす不純物の影響II : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• DPPHの電気伝導に於ける不純物の影響 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• DPPH単結晶の光伝導 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• Si中の不純物のE.S.R. : 半導体
• 3p-C-3 Ge,SeにおけるElectroabsorption Effect
• 低温におけるGe BicrystalのSheet電導と電流磁場効果 IV : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
• 低温におけるGe BicrystalのSheet伝導と電流磁場効果III(半導体(拡散,エピタキシー)
• 4p-A-7 低温におけるGe BicrystalのSheet伝導と電流磁場効果(II)
• 7p-L-3 低温におけるGeの転位面伝導
• 14a-A-12 Wet 水素雰囲気中でのSiよりの硼素除去
• E. V. G. 法によるGe-Si,Ge-GaAs Heterojunction : 半導体 : 気相成長
• 20L-22 Geのslow state
• 19F-13 ゲルマニウムの表面状態の考察
• Ge-Siヘテロ接合の界面物質の解析 : 半導体 : ダイオード,不安定
• 分子性結晶のESR : 分子性結晶シンポジウム
• 赤外ヴィジコン顕微鏡によるSiG. B. の観察 : 格子欠陥
• Ge Bicrystal の Sheet : 半導体
• 20L-13 Ge p-n接合のTurn over

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク