4p-M-12 束縛励起子の遠赤外磁気光吸収 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1977-03-20
著者
関連論文
- 2a GE-8 D^-, A^+状態X
- 3p-DS-7 Si中のA^+状態 II
- 3p-DS-6 D^-,A^+状態 IX
- 31p-BJ-6 Si 中の A^+ の状態
- 31p-BJ-5 D^-,A^+ 状態 III
- 10p-R-2 Ge,SiにおけるD^-状態とD^-バンド : (励起子イオン)実験の立場から
- 4p-M-19 D^-,A^+状態 IV
- 3p-M-11 Pb_Sn_xTeのThermoreflectance
- 3p-M-14 硫化カドミュウム中のピエゾ・エレクトリック ポーラロン
- 1a-N-10 CdSのサイクロトロン共鳴
- 4p-N-10 CdSのピエゾエレクトリックポーラロン効果(II)
- 4p-N-9 CdSのピエゾエレクトリックポーラロン効果(I)
- 3a-B-7 半導体の遠赤外非線形分光II
- 27a-A-8 半導体の遠赤外非線形分光
- 3a-W-5 TEACO_2 レーザー励起遠赤外レーザーの発振特性
- 1p-PS-32 共鳴4光子ミキシング法によるn-HgCdTeの電子スピン共鳴の研究(III)
- 1p-PS-31 Hot-Wall法によるPb_Mn_xTe系の結晶作成と赤外分光III
- 1a-KH-8 Al_xGa_As/GaAsヘテロ接合FET、2次元電子系のサイクロトロン共鳴IV
- 28a-E-3 シリコンMOSFETの遠赤外分光伝導特性
- 4p-B-5 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサイクロトロン共鳴吸収
- 4p-B-4 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサブバンド間遷移
- 5a-LT-8 Hg_Cd_xTe蓄積層電子のサイクロトロン共鳴吸収
- 29a-B-2 シリコン中のカルコーゲン-水素複合欠陥の電子スペクトル
- 29a-B-1 シリコン中のベリリウム-水素複合欠陥に於けるダイナミックトンネリングの観測
- 3p-Q-2 共鳴四光子ミキシング法によるn-HgCdTeの電子スピン共鳴の研究(IV)
- 13p-E-4 Al_xGa_ As/GaAsヘテロ接合FET二次元電子系のサイクロトロン共鳴 III
- 30a-M-14 共鳴4光子ミキシング法によるn-HgCdTeの電子スピン共鳴の研究
- 30a-M-13 Hot-Wall法によるPb_MnxTe系の結晶作成と赤外分光
- 30a-M-4 AlxGa_Asヘテロ接合FET二次元電子系のサイクロトロン共鳴 II
- 29a-M-9 大出力ショートパルス遠赤外レーザーを用いた半導体中の電子緩和現象の研究
- 3a-P-7 TEA炭酸ガスレーザー励起赤外・遠赤外レーザーによる分光システムの開発
- 3a-A-8 黒燐単結晶のHall効果とサイクロトロン共鳴
- 1a-F-4 Al_xGa_As/GaAsヘテロ接合FETの2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴の量子極限での異常
- 1a-Pα-26 GaAs/GaAlAsヘテロ接合二次元電子ガスのサイクロトロン共鳴III
- 1p-B-18 narrow-gap半導体におけるspin flip nonlinearity II
- 1p-B-5 半磁性半導体Hg_Mn_xTeのバンド間分光
- 5a-NL-12 Al_xGa_As/GaAsヘテロジャンクションの物理的性質IV
- 4p-NL-17 narrow-gup半導体におけるspin flip nonlinearity
- 30p-K-10 GaAs/Al_Ga_xAsヘテロジャンクションFETの物理的性質 II
- 14a-K-3 遠赤外域光伝導(II)
- 30p-D-8 半磁性半導体Hg_Mn_xTeにおける遠赤外磁気光吸収 (II)
- 1p-N-13 磁場中のGaAsの遠赤外光伝導(II)
- 9a-B-5 磁場中のGaAsの遠赤外光伝導 I
- 30a-D-11 ゲルマニウム中の電子正孔液滴 III
- 3p-B-8 ゲルマニウム中の電子正孔液滴 II
- 2a GE-12 ゲルマニウム中の電子正孔液滴
- 5p-LT-3 Ge中のEHDの遠赤外磁気光吸収の異常
- 5p-LT-1 光励起ゲルマニウムの遠赤外時間分解スペクトル
- 11p-R-4 束縛励起子の遠赤外磁気光吸収III
- 4p-M-12 束縛励起子の遠赤外磁気光吸収 II
- 6a-B-3 束縛励起子の遠赤外磁気吸収
- 3p-N-8 ドナー吸収スペクトルの補償効果 II
- 3p-N-7 ドナー吸収スペクトルの補償効果 I
- 22p-H-13 高励起下Geの遠赤外発光
- 3p-R-8 H_2O lsserによるSiの量子サイクロトロン共鳴
- 12p-W-13 H_2OLASERによるP-Geのサイクロトロン共鳴
- 29a-D-8 GDa-Siの光誘起変化 II
- 1a GF-9 Bi_Sb_x合金のhole mass
- 3p-AB-6 Bi_Sb_x合金のhole mass
- 31p-CA-14 Hg_1-xCd_xTe の n 型表面変転層
- 28a-M-3 ナローギャップ半磁性半導体の分光測定
- 30a-BA-4 半磁性半導体Hg_Mn_xTeの分光測定
- 45°反射法による半導体反射の測定 : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 4a-R-6 n-型Pb_Sn_xTeのShubnikov-de Haas効果
- 12a-W-7 Pb_Sn_xTeの静水圧下のHall効果
- 4p-M-11 光高励起下のGe、Siのサイクロトロン共鳴
- 5a-M-9 Cd_xHg_TeのOscillatory Magnetoresistance V
- 4p-K-5 高圧下でのHgTe及びHgTe-CdTeのホール効果
- 10p-F-4 n型Pb_Sn_xTeのShubnikov-de Haas効果 (II)
- 2a GE-13 一軸性応力下に於けるGe中EHDの磁気プラズマ共鳴
- 1p-BJ-6 電子正孔液滴の磁気プラズマ共鳴
- 11p-R-5 電子正孔液滴の遠赤外磁気プラズマ共鳴
- 4p-M-13 ゲルマニウムの高密度励起子系の遠赤外磁気光吸収
- 6a-B-4 一軸性応力下に於けるGe中の液滴の遠赤外磁気光吸収
- 4a-R-13 Hg_CdxTeの遠赤外magneto-absorption II.
- 12a-W-2 Hg_Cd_xTe の遠赤外Magneto-Absorption
- 25p-H-14 Hg_Cd_xTe(x=0.07)の磁場中遠赤外吸収
- 5a-L-12 HgTe.Cd_xHg_Teのマグネットプラズマ反射
- 2p-C-1 ダイヤモントのNV中心の永続ホールバーニング効果(イオン結晶・光物性)
- 30a-LG-6 ダイナミックトンネリングを呈するシリコン中のドナー/アクセプター欠陥(格子欠陥)