4p-M-19 D^-,A^+状態 IV

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1977-03-20

著者

• 谷口 雅樹

  阪大基礎工

• 谷口 雅樹

  阪大 基礎工

• 成田 信一郎

  阪大 基礎工

関連論文

• 3p-B-7 D^-,A^+状態 XIII
• 3p-B-6 D^-,A^+状態XII
• 2a GE-9 D^-, A^+状態XI
• 2a GE-8 D^-, A^+状態X
• 3p-DS-7 Si中のA^+状態 II
• 3p-DS-6 D^-,A^+状態 IX
• 3p-DS-5 D^-,A^+状態 VIII
• 31p-BJ-6 Si 中の A^+ の状態
• 31p-BJ-5 D^-,A^+ 状態 III
• 10p-R-6 D^-状態,D^-バンドのあるときのGeのピエゾ抵抗効果
• 10p-R-5 D^-,A^+状態VI
• 10p-R-4 D^-,A^+状態V
• 10p-R-2 Ge,SiにおけるD^-状態とD^-バンド : (励起子イオン)実験の立場から
• 4p-M-19 D^-,A^+状態 IV
• 8a-B-7 D^-,A^+状態 III
• 4p-U-9 D^-, A^+状態II (n-Si)
• 4p-U-8 D^-, A^+状態II (n-Ge)
• 12a-F-3 サブミリ波領域におけるGeの光伝導スペクトル (III)
• 12a-F-2 サブミリ波領域におけるGeの光伝導スペクトル (II)
• 3a-R-13 サブミリ波領域におけるGeの光伝導スペクトル
• 3p-M-11 Pb_Sn_xTeのThermoreflectance
• 3p-M-14 硫化カドミュウム中のピエゾ・エレクトリック ポーラロン
• 1a-N-10 CdSのサイクロトロン共鳴
• 4p-N-10 CdSのピエゾエレクトリックポーラロン効果(II)
• 4p-N-9 CdSのピエゾエレクトリックポーラロン効果(I)
• 3a-B-7 半導体の遠赤外非線形分光II
• 27a-A-8 半導体の遠赤外非線形分光
• 14a-K-3 遠赤外域光伝導(II)
• 30p-D-8 半磁性半導体Hg_Mn_xTeにおける遠赤外磁気光吸収 (II)
• 1p-N-13 磁場中のGaAsの遠赤外光伝導(II)
• 9a-B-5 磁場中のGaAsの遠赤外光伝導 I
• 30a-D-11 ゲルマニウム中の電子正孔液滴 III
• 2a GE-12 ゲルマニウム中の電子正孔液滴
• 5p-LT-1 光励起ゲルマニウムの遠赤外時間分解スペクトル
• 4p-M-12 束縛励起子の遠赤外磁気光吸収 II
• 22p-H-13 高励起下Geの遠赤外発光
• 3p-R-8 H_2O lsserによるSiの量子サイクロトロン共鳴
• 12p-W-13 H_2OLASERによるP-Geのサイクロトロン共鳴
• 29a-D-8 GDa-Siの光誘起変化 II
• 1a GF-9 Bi_Sb_x合金のhole mass
• 3p-AB-6 Bi_Sb_x合金のhole mass
• 31p-CA-14 Hg_1-xCd_xTe の n 型表面変転層
• 45°反射法による半導体反射の測定 : 半導体, イオン結晶, 光物性
• 4a-R-6 n-型Pb_Sn_xTeのShubnikov-de Haas効果
• 12a-W-7 Pb_Sn_xTeの静水圧下のHall効果
• 4p-M-11 光高励起下のGe、Siのサイクロトロン共鳴
• 5a-M-9 Cd_xHg_TeのOscillatory Magnetoresistance V
• 4p-K-5 高圧下でのHgTe及びHgTe-CdTeのホール効果
• 10p-F-4 n型Pb_Sn_xTeのShubnikov-de Haas効果 (II)
• 4a-R-13 Hg_CdxTeの遠赤外magneto-absorption II.
• 12a-W-2 Hg_Cd_xTe の遠赤外Magneto-Absorption
• 25p-H-14 Hg_Cd_xTe(x=0.07)の磁場中遠赤外吸収
• 5a-L-12 HgTe.Cd_xHg_Teのマグネットプラズマ反射

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク