12a-W-7 Pb_<1-x>Sn_xTeの静水圧下のHall効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1974-09-20
著者
関連論文
- 2a GE-8 D^-, A^+状態X
- 3p-DS-7 Si中のA^+状態 II
- 3p-DS-6 D^-,A^+状態 IX
- 31p-BJ-6 Si 中の A^+ の状態
- 31p-BJ-5 D^-,A^+ 状態 III
- 4p-M-19 D^-,A^+状態 IV
- 3p-M-11 Pb_Sn_xTeのThermoreflectance
- 3p-M-14 硫化カドミュウム中のピエゾ・エレクトリック ポーラロン
- 1a-N-10 CdSのサイクロトロン共鳴
- 4p-N-10 CdSのピエゾエレクトリックポーラロン効果(II)
- 4p-N-9 CdSのピエゾエレクトリックポーラロン効果(I)
- 3a-B-7 半導体の遠赤外非線形分光II
- 27a-A-8 半導体の遠赤外非線形分光
- 14a-K-3 遠赤外域光伝導(II)
- 30p-D-8 半磁性半導体Hg_Mn_xTeにおける遠赤外磁気光吸収 (II)
- 1p-N-13 磁場中のGaAsの遠赤外光伝導(II)
- 9a-B-5 磁場中のGaAsの遠赤外光伝導 I
- 30a-D-11 ゲルマニウム中の電子正孔液滴 III
- 2a GE-12 ゲルマニウム中の電子正孔液滴
- 5p-LT-1 光励起ゲルマニウムの遠赤外時間分解スペクトル
- 4p-M-12 束縛励起子の遠赤外磁気光吸収 II
- 22p-H-13 高励起下Geの遠赤外発光
- 3p-R-8 H_2O lsserによるSiの量子サイクロトロン共鳴
- 12p-W-13 H_2OLASERによるP-Geのサイクロトロン共鳴
- 29a-D-8 GDa-Siの光誘起変化 II
- 1a GF-9 Bi_Sb_x合金のhole mass
- 3p-AB-6 Bi_Sb_x合金のhole mass
- 31p-CA-14 Hg_1-xCd_xTe の n 型表面変転層
- 45°反射法による半導体反射の測定 : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 5p-B-13 Pb_Sn_xTeのShubnikov-de Haas効果におけるスピンの影響
- 5p-U-3 n型Pb_Sn_xTeのShubnikov-de Haas効果(III)
- 4a-R-6 n-型Pb_Sn_xTeのShubnikov-de Haas効果
- 12a-W-7 Pb_Sn_xTeの静水圧下のHall効果
- 4p-M-11 光高励起下のGe、Siのサイクロトロン共鳴
- 5a-M-9 Cd_xHg_TeのOscillatory Magnetoresistance V
- 4p-K-5 高圧下でのHgTe及びHgTe-CdTeのホール効果
- 10p-F-4 n型Pb_Sn_xTeのShubnikov-de Haas効果 (II)
- 4a-R-13 Hg_CdxTeの遠赤外magneto-absorption II.
- 12a-W-2 Hg_Cd_xTe の遠赤外Magneto-Absorption
- 25p-H-14 Hg_Cd_xTe(x=0.07)の磁場中遠赤外吸収
- 5a-L-12 HgTe.Cd_xHg_Teのマグネットプラズマ反射