8a-Q-2 熱酸化シリコンの積層欠陥のアニールによる消滅
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1976-09-16
著者
関連論文
- 2p-TG-7 Si HomoepitaxyのMisfit Dislocation(IV)
- 8a-Q-2 熱酸化シリコンの積層欠陥のアニールによる消滅
- 4p-KM-4 InSb結晶の変形挙動の極性(III)
- シリコンウエハー表面のデバイス特性に及ぼす影響
- SOSウェーハの熱処理による破壊
- 熱酸化シリコンの積層欠陥のエッチングによる観察
- 30p-U-12 熱酸化後の Si 表面に発生する積層欠陥
- 24p-N-7 気相輸送による結晶成長