3p-KL-12 モンテカルロ法によるn-GaAsのホットエレクトロン拡散係数の計算
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1974-03-20
著者
-
和田 修
富士通研究所
-
高梨 裕文
(株)富士通研究所
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高梨 裕文
富士通研究所
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安部 正幸
(株)富士通研究所
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安部 正幸
富士通研究所
-
柳沢 真太郎
富士通研究所
-
安部 正幸
(株)富士通研究所化合物半導体研究部
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