安部 正幸 | (株)富士通研究所化合物半導体研究部

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概要

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関連著者

• 安部 正幸

  (株)富士通研究所

• 安部 正幸

  (株)富士通研究所化合物半導体研究部

• 安部 正幸

  富士通

• 中村 慶久

  東北大学電気通信研究所

• 西澤 潤一

  東北大

• 中村 慶久

  東北大学

• 和田 修

  富士通研究所

• 西澤 潤一

  岩手県立大学

• 高梨 裕文

  (株)富士通研究所

• 高梨 裕文

  富士通研究所

• 野口 正一

  東北大学応用情報学研究センター

• 野口 正一

  会津大学

• 岡部 洋一

  東大

• 中村 慶久

  東北大

• 阪口 光人

  日電

• 角田 義人

  日立

• 堀 浩雄

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• 野口 正一

  東北大学 電気通信研究所

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  東北大・電気通信研

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  富士通研究所

• 柳沢 真太郎

  富士通研究所

• 安部 正幸

  富士通研

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著作論文

• パネル討論会 : 新しい情報処理デバイスの展望 : 新しい計算機システム構築のために : 昭和59年後期第29回全国大会報告
• 3p-KL-12 モンテカルロ法によるn-GaAsのホットエレクトロン拡散係数の計算
• 総論 : マルチメディア時代の高品位ディオスプレイ技術
• 超高速HEMT LSI技術
• マルチプロセッサスーパコンピュータPHIの研究開発 マルチプロセッサスーパコンピュータのためのHEMT素子技術 (マルチプロセッサスーパコンピュータPHIの研究開発)
• ポリシリコンTFT液晶ディスプレイ (特集:研究開発最前線--マルチメディア/パ-ソナル/ネットワ-ク時代への対応)
• 超高速HEMT SRAM技術 (最近の高速メモリ技術)

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