30p-N-6 GaAs中の部分転位像の形状変化-高分解能電子顕微鏡その場観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-09-12
著者
-
前田 康二
東大工
-
鈴木 邦夫
東大物性研
-
竹内 伸
東大物性研
-
鈴木 邦夫
東大生研
-
井上 雅史
東大工
-
兼松 えりか
東大工
-
Takeuchi S
Sci. Univ. Tokyo Chiba Jpn
-
竹内 伸
Department Of Materials Science And Technology Science University Of Tokyo
-
Takeuchi Shin
Department Of Materials Science And Technology Science University Of Tokyo
-
Takiuchi Satoshi
Faculty Of Engineering Yamanashi University
関連論文
- 21aHT-1 共鳴内殻励起軟X線照射による単層カーボンナノチューブへの欠陥導入の機構について(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aTA-8 軟X線照射による^Cカーボンナノチューブからの原子脱離(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYC-11 4面体結合性アモルファスカーボンの電子線誘起結晶化
- 27aYC-6 電子線照射下で起こるZnO結晶中の振動的転位運動
- 28p-ZA-6 h-GaN結晶における電子励起転位すべり効果
- 29a-E-6 Plan-view HREM法による転位線の原子像観察の分解能
- すべり面垂直入射HREM観察で調べた半導体中の転位運動素過程
- 30p-N-6 GaAs中の部分転位像の形状変化-高分解能電子顕微鏡その場観察
- 22aTD-3 共鳴的内殻励起光照射による単層カーボンナノチューブの構造変化(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19aRJ-1 カーボンナノチューブ分散溶液のラマンクエンチ効果とその機構(ナノチューブ・光物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pXK-7 STM光吸収分光法におけるサブギャップ光吸収信号の起源(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aWH-5 Si上のβ-FeSi_2ドットのSTM電場変調ナノ分光測定(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-3 STM探針からの正孔注入によるフラーレンの重合・解離反応とその機構(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYC-6 STM探針によるサブギャップ光吸収の検出(23aYC 表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pXF-5 STMプローブ励起C_重合・解離反応におけるクラスタ間距離効果の機構(微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aYD-4 STM 金属探針直下における光電場増強効果の実測
- 19aTG-3 イオン堆積アモルファスカーボン膜のSTM探針によるナノ構造変化
- 19aTG-2 STM探針により誘起されるグラファイト結晶中の照射欠陥の構造変化
- 30aTA-8 プローブ励起原子移動 : Si(100)表面上のCl原子の場合
- 25pTA-8 プローブ励起によって誘起されるSi表面上Cl原子拡散の広がり効果の解釈
- 25aT-6 STMプローブによる電子引き抜きが誘起するSi(111)-(7×7)表面上のCl原子移動
- 29pRB-13 走査型トンネル顕微鏡探針によるカーボンナノチューブへの欠陥導入(29pRB 領域10,領域9合同(金属・陽電子・水素・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23aTA-5 カーボンナノチューブのレーザー光に対する力学的応答(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pWH-3 Electronic-Excitation-induced Structural Conversion in Carbon Materials(Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations)
- 18pXB-10 軟X線照射によるカーボンナノチューブからの原子脱離(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pYH-7 共鳴内殻励起による四面体結合性アモルファスカーボン膜の構造変化とその機構(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-44 STM変調分光法における異常スペクトル(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aUB-5 電子励起によるカーボンナノ構造形成(30aUB 領域10シンポジウム:カーボン物質の機能性ナノ構造形成,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aXJ-12 軟X線による四面体結合アモファス炭素膜の構造変化(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYM-7 電子線誘起拡散におけるTEM画像ゆらぎの解析(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30a-F-1 2段階CRIC(定速圧子圧入破壊)法による脆性・延性遷移の研究
- ナノ構造技術
- 28pTA-5 紫外光照射によるCl-Siエッチング現象の原子過程
- 25pY-5 塩素吸着シリコン光誘起エッチングにおける表面温度上昇の評価
- 31a-S-5 バンド間励起に起因したCl/Si表面光誘起エッチングの非線形強度依存性
- 27a-PS-45 塩素吸着シリコン表面における光誘起エッチングの励起光偏光依存性
- 30a-YE-10 Cl/Si表面光誘起エッチング : 励起光強度依存
- 8p-H-9 塩基吸着シリコン光誘起エッチングの励起光波長依存性
- 30p-N-5 GaAs中のショックレー型部分転位線のPlan-view高分解能電顕像シミュレーション
- 17pTD-9 多価イオン照射により誘起されるグラファイト結晶の状態変化
- 15aTJ-5 STM 金属探針下の光電場増強効果 : 物質依存性(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 27a-ZN-12 STMトンネル電流における1/f雑音強度の試料面内分布の起源
- 28p-K-2 STMにおけるトンネル電流の低周波ゆらぎ
- 27aXT-12 GaAs中のAsアンチサイトの電子構造(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 2p-C-1 II-VI族化合物半導体中の転位の電顕観察
- 28a-J-3 II-VI族化合物半導体中の転位の運動
- 3a GJ-10 CdTe単結晶中の転位運動の直接観察
- 5p-DQ-7 CdTe単結晶中の転位の運動と光塑性効果
- 31p-BB-9 CdTe単結晶中の転位の運動
- 12a-P-11 カソードルミネッセンス顕微法による転位易動度の測定
- 6p-M-9 CdTe単結晶の光塑性効果I
- 24aWY-9 プローブ励起によって単層カーボンナノチューブに誘起された欠陥の遠隔形成(24aWY 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 29p-BPS-37 Si(111)2x1劈開面のFI-STM観察
- 28p-K-1 FI-STMによるSi中の転位の原子像観察
- 26a-T-6 非常に乱れた物質における1/f雑音
- 27a-T-2 SiGeエピ膜中の転位運動に対する水素の影響
- 30a-F-5 キング運動に及ぼす電子線照射効果
- STMトンネル電流注入で促進された表面原子反応
- 30a-SG-12 bcc金属の極低温塑性の精密測定
- 2p-T-15 非晶質金属の変形機構(理論)
- 27a-J-10 非晶質Cu_Zr_合金の変形の計算機シミュレーション
- 3p-P-13 二元系アモルファス金属の計算機シミュレーション
- 28aYC-4 GaAs結晶中のAsアンチサイト単一欠陥のSTM光吸収分光
- 28aYC-3 GaAsエピタキシャル膜界面欠陥のSTM吸収分光測定
- 24pYP-10 STMによる光変調吸収分光
- 31pYG-12 EL2 センターの新しい配位座標モデル
- 17aTG-7 1個の欠陥がつくるナノスケール歪場の直接測定
- 28aYC-6 Density Matrix法を用いた半導体微結晶中の欠陥構造の計算
- 26pYL-10 超高真空STM-DLTS顕微鏡によるGaAs表面下欠陥の観察
- 14p-L-3 II-VI化合物の積層欠陥エネルギー
- 25aT-2 STMプローブ励起によるC_クラスター重合
- 24pW-11 Si表面上Cl拡散を誘起するSTM探針注入電流の空間的広がり
- 28p-Q-5 STMプローブにより誘起されるSi表面上のCl原子移動
- 25a-YM-12 STM探針からキャリア注入したC1吸着Si表面のその場観察
- 4p-KM-3 走査型電子顕微鏡によるCdS単結晶の転位観察
- 2a-C-11 SmS中の転位
- 4a-KL-7 CuCl中の転位I : 光塑性効果
- 31p-YK-12 C_/Si(111)-7x7ヘテロエピタキシャル膜表面拡張欠陥のSTM観察
- 27a-J-11 非晶質金属の構造欠陥-局所応力場と局所的対称性解析
- 27p-N-1 走査トンネル顕微鏡による半導体中のバルク欠陥の観察
- 29p-RC-14 変形したGaAs単結晶の内部摩擦
- 走査トンネルDLTS顕微鏡の空間分解能
- 5p-M-13 圧電性結晶中の転位の電子摩擦と光塑性効果
- 4a-M-10 CdS単結晶の転位易動度
- 5a-N-11 鉄単結晶の窒素による固溶体軟化
- 4p-YG-4 照射欠陥によるショットキー接合雑音の発生機構
- 30p-J-8 塑性変形したn-GaAsのDLTS測定
- 23aGQ-1 プローブ励起による単層カーボンナノチューブ(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 31p-M-10 STMトンネル電流におけるl/f雑音強度の温度依存性
- 2a-C-11 塑性変形したn-GaAsのDLTS測定(II)
- 12p-S-9 GaAs単結晶中の転位の再結合促進すべり効果とドーピング効果
- 2p-G-9 電子線励起によるGaAs単結晶中の転位すべり運動の促進効果
- 31p-YK-4 グライド・シヤッフル面に沿うγエネルギー曲面の物質依存性
- 2p-KL-11 GaAs中の転位のパイエルス機構
- 30p-H-5 III-V化合物の転位の運動
- 29p-H-6 変形したGaAs単結晶の電気伝導測定 I
- 30p-SG-5 電子正孔再結合に伴う転位運動促進効果 : InP : GaAsの比較
- 非晶質金属中の不均質性--計算機シミュレ-ションを中心として
- 30p-G-4 モデル構造の不均質性
- 2a-C-7 非晶質金属模型中の不均一内部応力と幾何学的原子配位の関係