Insulator-Metal Transition in La_<2-x>Sr_xNiO_4
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概要
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Successful fabrication of epitaxial thin films of La_<2-x>Sr_xNiO_4(0.5 ≤ x ≤ 1.4) has enabled us to investigate the change in charge dynamics upon the insulator-metal transition (IMT). The charge gap induced by (π,π) charge ordering as observed in optical spectra for x=0.5 is decreased with the increase of x, while the pseudo-gap feature subsists at least up to x=1.0 beyond IMT critical point (X_c ≈ 0.9). In the metallic phase near IMT, the Hall coefficient shows remarkable enhancement at low temperatures. The results indicate the predominant role of the charge ordering / correlation in the IMT.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2002-03-15
著者
-
Tokura Y
Department Of Applied Physics University Of Tokyo:cross- Correlated Materials Research Group Riken:m
-
Okimoto Y
Joint Research Center For Atom Technology (jrcat)
-
Kawasaki M
Joint Research Center For Atom Technology (jrcat) : Department Of Innovative And Engineered Material
-
Tokura Y
Department Of Applied Physics University Of Tokyo:joint Research Center For Atom Technology (jrcat):
-
SHINOMORI S
Department of Applied Physics, University of Tokyo
-
Shinomori S
Department Of Applied Physics University Of Tokyo:joint Research Center For Atom Technology (jrcat)
-
Kawasaki M
Joint Research Center For Atom Technology (jrcat):correlated Electron Research Center (cerc) Nationa
-
Shinomori S.
Department of Applied Physics, University of Tokyo
-
Okimoto Y.
Joint Research Center for Atom Technology (JRCAT)
-
Kawasaki M.
Joint Research Center for Atom Technology (JRCAT)
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