高誘電率セラミックスを用いたTEM結合分布線路形2バンドデュープレクサの提案と設計理論 : とくに分布リアクティプ結合による外部Q値

概要

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最近移動体通信における携帯電話は、800MHz帯と1.5GHz帯の2バンドが用いられており、これらに対応した端末器が別々に作られているが、将来は低コストにするために2バンドを1機種で対応できる機器の開発が望まれている。ここではその一環として2バンドデュープレクサの開発に必要な分布回路の研究を行った。従来のデュープレクサでは2ヶの帯域通路フィルター(Band Pass Filter)を集中定数回路や、分布定数線路を用いて分波していたが、形状が大きくなるうえに、2ヶの周波数が夫々f_1及びf_2=2f_1の如く離れている場合には回路構成が複雑となる。そこで今回は高誘電率セラミックスのブロック中に形成されたTEM平行三線路を用いた分波回路を提案し、その設計理論と実験結果との照合を行ったものである。とくに2バンドに対する分布定数線路の長さは異なり、これらの結合に於いては、従来のインターディジタル結合の場合と異り、分布リアクティブ結合が行われる。この結合理論は従来無く、今回筆者により求められこれに基づいてフィルタの外部Q値を求めて実験結果とよく一致する結果を得たものである。
東京工芸大学の論文
2000-01-31