SiO_2スパッタ薄膜のフォーミング前後における導電特性
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概要
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高周波スパッタSi0_2薄膜のフォーミング前と後における導電特性に関する研究をおこなった。フォーミング前においては,高周波スパッタSiO_2薄膜はすぐれた絶縁性を有している。フォーミングされない素子の電圧-電流特性におよぼす電圧極性,電極材料および温度の影響を調べた。導電機構について,低電界ではオーミックな関係が観察され,高電界ではバルク制限のPoole-Frenkel機構が優勢となり,そしてさらに高い電界では電極制限のトンネル効果が生ずることがわかった。フォーミング後においては,高周波スパッタSiO_2薄膜素子は電圧制御型の負性抵抗特性を示した。その負性抵抗特性の高周波スパッタSiO_2膜の厚み依存性,および付着速度依存性を調べた。負性抵抗特性におけるピーク電流値はSiO_2膜の厚みの減少とともに指数関数的に増加し,付着速度の増加とともに徐々に増加することが見出された。これらの実験結果はフイラメント・モデルによって十分に説明される。
- 大同工業大学の論文
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