低電圧電流形センスアンプ回路におけるMOSトランジスタサイズの影響

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概要

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• It is important thema for memory LSI to be low voltage. Differencial sense amplifier (current mirror sense amplifier) is used to find reading signal from memory cell, but this circuit have fault that large tip size and large power. This paper purpose low-voltage , low-power and reducing tip size, optimize MOS transistor size in cussent sense amplifier by SPICE simulation. This circuit used EPROM that can erase by Ultraviolet rays to rewrite in experiment.

• 岡山理科大学の論文

著者

• 多田 昭晴

  岡山理科大学工学部電子工学科

• 多田 昭晴

  岡山理科大学工学部情報工学科

• 石川 尚道

  岡山理科大学大学院工学研究科修士課程情報工学専攻

• 三道 一弘/多田

  岡山理科大学大学院工学研究科修士課程情報工学専攻/岡山理科大学工学部情報工学科

• 多田 昭晴

  岡山理科大学大学院工学研究科修士課程情報工学専攻/岡山理科大学工学部情報工学科

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