<論文>コンピュータグラフィックスのダイナミックディスプレイによる超拡散のアニメーションとその近似モデル
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概要
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Superdiffusion (electron beam doping (EBD)) in semiconductors were investigated by simulation. The material surface was covered by an overlayer of impurity sheets and the overlayer surface was irradiated with high-energy electrons. Displaced atoms (single atom) of Frenkel pairs, introduced by irradiatioin, migrated to the surface or the interface of semiconductors and strongly diffused at the surface with the large surface diffusivity of the order of 10^<-5>cm^2sec^<-1> and also have the volume diffusivity of the order of 10^<-15>cm^2sec^<-1>. A dynamic of superdiffusion for free-atom like atoms in semiconductors was presented by using a computer graphic display.
- 2002-03-30
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