ポリイミドを基板としたCr-N薄膜の作製と微圧センサ応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-01-13
著者
-
佐々木 祥弘
電磁研
-
丹羽 英二
電磁研
-
荒井 賢一
電磁研
-
増本 剛
電磁研
-
増本 剛
(財)電気磁気材料研究所
-
荒井 賢一
(財)電気磁気材料研究所
-
丹羽 英二
(財)電気磁気材料研究所
-
佐々木 祥弘
(財)電気磁気材料研究所
関連論文
- G1001-5-3 Cr-N薄膜ひずみゲージを用いた高感度力センサ((5)計測・測定)
- 28p-S-6 高圧下におけるカルコパイライト半導体の内部座標
- AgGaX_2(X=S, Se, Te)の正方晶歪みと内部歪みの圧力効果
- Hgリザーバを用いたTH法によるHg_CdxTeの結晶成長
- 30p-YM-13 AgGaS_2におけるuパラメータとエネルギーギャップの圧力変化
- 12a-DF-15 圧力誘起によるAgGaS_2の構造変化とエネルギーギャップ
- Cr-NおよびFe-Pd薄膜の温度・歪同時計測触覚センサへの応用
- Cr-N感歪薄膜とその圧力センサ応用
- 温度・歪の同時計測触覚センサ用Fe-Pd感温薄膜およびCr-N感歪薄膜
- ポリイミドを基板としたCr-N薄膜の作製と微圧センサ応用