工学基礎物理の授業において受講動機が授業評価・成績に与える影響の分析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Data on students′ motives for taking a class in fundamental physics for engineering in academic 2007 have been analyzed using principal-component analysis. It is found that the first and second components of the motive data can be interpreted as a comprehensive desire to learn physics and how passive students are when they decide to take the class, respectively. Correlation between the data on the motives and those on the student evaluation of the instruction is analyzed by multiple-regression analysis, revealing that the first principal component of the motive data significantly explains the evaluation. Furthermore, multiple-regression analysis shows a statistically significant but only weak correlation between the motive data and exam scores.
- 2009-09-20
著者
関連論文
- 21pRC-4 大学基礎物理の授業における学生の理解度、学業的達成感、及び、成績の共分散構造分析(21pRC 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 5-103 基礎物理の授業における授業評価、達成感、成績の因果関係の分析((16)教育評価・自己点検・評価システム,口頭発表論文)
- 1-102 工学基礎教育(物理)での新入生に対する学習歴と修学のための学力診断 : 金沢工業大学の取り組み((14)教育評価・自己点検・評価システム-I)
- 工学基礎物理・授業評価の分析
- 30p-G-4 酸素終端Si超薄膜の電子状態の計算
- 1a-F-6 水素吸着シリコン超薄膜の電子状態の計算
- 工学基礎物理の授業において受講動機が授業評価・成績に与える影響の分析
- 27aVE-7 大学基礎物理の授業における学生の学業的達成感、授業評価、及び、成績の相関分析(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 1-329 基礎物理(力学、電磁気学)の授業における「学生の達成感」に関する分析 : 授業評価および成績との相関(口頭発表論文,(16)教育評価・自己点検・評価システム-I)
- 25aQK-6 大学基礎物理の授業への教員の取り組み、学力、達成感、成績の因果関係に関する共分散構造分析(25aQK 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 23pW-1 モノハイドライド終端Si(001)超薄膜の電子状態の計算と表面電子状態による発光II : 水素終端ポーラスSiからの発光過程の解析
- 19aZB-7 ダイヤモンド量子超薄膜の電子状態と発光特性の計算 II : 表面再構成とバンドギャップ(微粒子・ナノ結晶,表面・薄膜,領域5,光物性)
- 10-216 工学基礎物理(波動、熱学、電気学)の授業に対する学生の履修動機に関する分析 : 授業評価および成績との相関分析((14)教育評価・自己点検・評価システム-II,口頭発表論文)
- 6-105 工学基礎物理(波動、熱学、電気学)の授業評価の解析 : 三ヵ年にわたる分析の比較とまとめ(口頭発表論文,(13)教育評価・自己点検・評価システム-II)
- 演習問題解法に重点を置いた工学基礎物理の授業評価と学生の達成感・成績との相関性の分析
- 23pWA-9 大学基礎物理教育での演習問題解法を重視した授業に対する授業評価アンケートの分析(23pWA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 24aRA-1 シリコン超薄膜による短周期超格子構造の電子状態とその光学特性の計算(24aRA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 7-211 演習問題解法を重視した工学基礎物理の授業での授業評価アンケートの解析((12)教育評価・自己点検・評価システム-III)
- 工学基礎物理における学生による授業評価の統計的分析と成績との相関分析
- 27aWA-2 ダイヤモンド量子超ナノ薄膜の電子状態と発光特性の計算 : シリコン量子超薄膜との比較(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 1-222 工学基礎物理(波動、熱学、電気)の授業アンケートの統計的解析((14)教育評価・自己点検・評価システム-IV)
- 21aXF-3 水素終端Si量子球ドットの電子状態の計算 : 酸化によるエネルギーギャップのレッドシフトII(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
- 21aXC-12 大学物理基礎教育での授業評価と成績との相関に関する統計的分析(物理教育(教育方法・実践・調査),領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 問題分割方式による工学基礎教育における物理授業改善の試みとその効果
- 26pXQ-10 水素終端Si量子球ドットの電子状態の計算 : 酸化によるエネルギーギャップのレッドシフト(領域5, 領域4合同招待講演,領域5(光物性))
- 13aXE-5 問題分割方式による大学物理基礎教育の授業改善の試みとその効果の分析 : 熱学について(物理教育 : 教育方法・実践, 領域 13)
- 12aXD-3 シリコン超薄膜のみで構成した超格子構造の電子状態とその光学特性の計算(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- (124)工学基礎教育における物理授業改善に関する一案 : 問題分割方式による授業とその効果(セッション36 教育システムA(講義・演習)VI)
- 28aXS-5 水素終端Siドットの電子状態の計算(II) : バンド端電子状態とその光学特性に対する水素終端効果(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 4p-K-12 分子軌道法による半導体表面の電子状態 III
- 6a-B-13 分子軌道法による半導体表面の電子状態 II
- 7a-U-9 分子軌道法による半導体表面の電子状態
- 30aVD-1 超微小Siナノ結晶の電子状態の計算 : 電子的・光学的特性に及ぼす形状効果(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
- 21aRA-2 大学基礎物理教育の授業に対する履修動機と授業評価の相関に関する分析(21aRA 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 授業への真剣さに着目した工学基礎物理の授業評価の分析
- 23aYJ-1 水素終端ダイヤモンド量子球の電子状態の計算とその発光(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTR-8 ダイヤモンド量子箱の電子状態の計算とその発光(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 23pTV-12 大学基礎物理教育での講義方法と授業評価との相関に関する分析(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- 11-325 基礎物理の授業における受講動機、教員に対する評価、学生の成績の因果関係に関する共分散構造分析((16)教育評価・自己点検・評価システム-I,口頭発表論文)
- 基礎物理の授業を受講した学生の達成感とその授業評価・成績との相関・因果関係の分析
- 21pWB-1 水素終端 Si ドットの電子状態の計算 : バンド端電子状態とその光学特性に対する Si-H ボンド間相互作用の影響
- 31aYE-6 水素終端シリコン量子箱の電子状態の計算 : バンド端の電子状態と発光特性に対する酸化の影響
- 19pRG-11 Si量子箱の電子状態の計算とその発光 II
- 27aYG-4 Si量子箱の電子状態の計算とその発光
- 23pXC-9 モノハイドライド・ダイマー終端 Si(001)超薄膜の表面電子状態による発光とその酸化効果 : 電子状態の計算
- 27pZ-8 モノハイドライド終端Si(001)超薄膜の電子状態の計算と表面電子状態による発光
- 27pC-6 酸化した水素終端Si超薄膜の電子状態の計算とその発光特性 : gap statesの出現による発光のdegradation
- 28p-ZF-2 水素及び酸素で終端したSi超薄膜の電子状態の計算と発光のメカニズムII
- 25p-YE-5 水素及び酸素で終端したSi超薄膜の電子状態の計算と発光のメカニズム
- 31a-YJ-1 初期化したSi超薄膜の電子状態の計算
- 8p-E-6 酸素終端Si超薄膜の電子状態の計算 II
- 27a-Y-6 GaAS(1^^-1^^-1^^-)2×2再構成面の原子構造と電子構造
- J. C. Slater著, 菅野 暁・足立裕彦・塚田 捷訳: スレーター分子軌道計算, 東京大学出版会, 東京, 1982, viii+178ページ, 21×15cm, 2,000円.
- 30p-A-8 GaAs(1^^-1^^-1^^-)2×2再構成面の原子構造と電子構造
- 2a-NM-7 GaAs(111)再構成面の原子構造と電子構造に関する考察
- 30p-J-8 Ge-GaAs(111)超格子とヘテロ接合界面の電子状態
- 4a-E-12 III-V族半導体の(110)表面上の格子欠陥とその電子状態
- 30a-U-6 GaSb(110)表面上の点欠陥による電子状態
- 12.半導体表面の電子状態に対する表面緩和効果(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
- 2p-Q-8 III-V族化合物半導体の(111)清浄表面の電子状態 : そのエネルギー分布と化合物依存性
- 31a KA-4 Si(111)表面に吸着したIII族原子の電子状態
- 3p-AC-8 Si(111)表面へのAlの吸着に対する分子軌道計算
- 31p-CA-8 化合物半導体表面の電子状態 II
- 11a-R-6 化合物半導体表面の電子状態
- 5a-K-7 極性媒質中での捕捉電子のエネルギー状態についてのモデル計算