プラズマ支援重合法による高分子薄膜へのヘテロ原子の導入と薄膜の光学特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Plasma enhanced polymerization is an attractive technology to fabricate an optical polymer waveguide, because it has capability to provide an uniform thickness film on a substrate with various surface geometry, and to provide change of refractive index by controlling a proportion of source monomer mixing. In the present paper we discuss optical constants and molecule structures of the films added hetero-atoms, O, N and F in the CHx network of polymer. Refractive index of those films changes from 1.52 to 1.63 at 1.0 μm wavelength, depending on the variety of hetero-atoms. Fluorine atoms added into a film decreases refractive index of the film. Oxygen atoms added into a film, which form ester structure (- COO-), decrease refractive index of the film, and some O atoms token into a film as OH base will increase optical absorption in inferred region for optical communication. Nitrogen atoms added increase optical absorption due to forming NH2 base. Finally, sp3/sp2 fraction controlling in the film will be a suitable to control refractive index of the film for an optical waveguide, for example by using mixed monomer of C6H6 and C6H10.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2009-08-01
著者
関連論文
- プラズマ支援重合法により形成した高分子薄膜の光吸収損失
- 2010年 研究開発の動向と最前線
- アルゴンプラズマアークによる放射パワーと集光点温度上昇の関係
- 窒素イオン照射を用いたPTFE表面改質効果のイオンエネルギー依存性
- 窒素イオン照射を用いたPMMAの表面硬度向上に及ぼす架橋構造導入の寄与
- 低エネルギーイオン照射及び電子照射によるPMMAの表面硬度向上
- 高E/n放電によるPTFE表面への極性基導入における窒素イオンの寄与
- 高気圧窒素中における繰り返し放電時の初期電子供給 : —電子付着作用による絶縁破壊特性—
- 低エネルギーイオン照射によるPTFEの構造変化 : 架橋形成による構造崩壊の抑制
- 高分子材料の表面状態と光電子放出量の関係
- 高気圧窒素中における絶縁破壊時のNO, CO_2およびSF_6混入による初期電子数の減少
- 武蔵工業大学 工学部 電気電子工学科 電力社会システム工学コース 気体エレクトロニクス研究室
- 鉄蒸気混入高温アルゴンの紫外線放射係数
- 非熱平衡を考慮したパルス状高温空気のNO粒子密度
- 電流・アーク長変化時におけるツイントーチプラズマアークの電圧特性
- ツイントーチプラズマアーク発生装置の開発
- 電流変化時におけるアルゴントーチプラズマの放射パワー特性に関する数値解析
- 2003年 研究開発の動向
- パルスアーク放電の放射特性
- パルスアーク放電における電流と線スペクトル放射パワー密度
- 窒素準安定励起分子の実効電離係数に対する影響
- 減圧アークによる表面処理後の酸化膜除去効果
- プラズマ支援重合法による高分子薄膜へのヘテロ原子の導入と薄膜の光学特性
- 環状水素化炭素モノマーを用いたプラズマ支援重合膜特性への堆積温度の影響
- プラズマ支援重合法による高分子光導波路の形成
- Poly(4-vinylpyridine-co-styrene) の側鎖に水素結合した非線形光学低分子 p-(dimethylamino)benzoicacid のコロナポーリング
- 高気圧窒素中における繰り返し放電時の初期電子供給 : 電子付着作用による絶縁破壊特性
- 酸化膜除去時における減圧アーク陰極点の発生軌跡
- 低エネルギーイオン照射によるPMMAの表面改質
- 低エネルギーイオン照射によるPMMAの表面改質II
- イオンビーム照射法によるPMMAの表面改質 : 深さ方向の分析
- Biberman Factor を考慮した高温アルゴンガスにおける波長別放射成分特性
- アーク溶接のモニタリング手法
- LTE条件下におけるプラズマアークの電極間距離変化時の温度・放射分布
- 減圧アーク陰極点によるステンレス表面の酸化膜厚みと酸化膜除去の関係
- しきい値イオン化質量分析法を用いた窒素準安定励起分子の検出
- 極性基付加によるポリスチレンのフォトルミネセンススペクトルの変化
- 準平等電界下における高気圧窒素ガスの絶縁破壊特性
- 高E/n領域の放電によるPTFEの表面処理 : 処理表面の化学的安定性
- 高E/N放電空間における振動準位の高いN_2(C^3II_u)の生成過程
- 放電処理による表面の化学変化のフォトルミネセンスによる検出
- 低気圧中で発生するN_2(A^3Σ_u^+)の電子増倍現象への影響
- 金属蒸気混入率変化時における高温アルゴンの紫外線放射
- 電極角度変化時におけるツイントーチプラズマアーク姿態とローレンツ力の関係
- 高気圧窒素中での繰り返し放電による遅れ時間の変化
- 電極角度変化時におけるツイントーチプラズマアーク姿態
- PTFE表面改質時の極性基導入過程における窒素イオンの効果
- 高気圧窒素ガスにおけるNO, SF_6ガス混合による初期電子抑制
- 1. はじめに(大気圧プラズマを点けてみよう)
- 吸収を考慮した高温アルゴンガスにおける波長別放射パワー密度
- 半楕円反射板を用いたアルゴンプラズマアークの赤外線による集光点温度上昇
- ツイントーチプラズマアークの温度分布と受熱量
- 高温アルゴンガスにおける波長別放射成分
- 微量タングステン混入高温空気の線スペクトル放射パワー密度
- 輸送時間を用いたN原子の実効的な拡散係数の算出
- 放電処理された高分子材料表面のフォトルミネセンスによる極性基検出への検討
- 高分子表面処理における改質層の深さ方向分布(III)
- 2010年 研究開発の動向と最前線
- 第13回気体放電とその応用国際会議(GD2000)報告
- 電極角度変化時におけるプラズマアークの流速分布
- 直交ガスが及ぼすアーク外周部の冷却効果と入熱量
- 高E/n放電の陰極付近におけるイオンエネルギー分布とその制御
- GTA溶接により形成される溶融池の溶け込み深さに及ぼす金属蒸気の寄与
- 陽極ジェットの発生に及ぼす陽極近傍の電界上昇
- ガスタングステンアーク溶接における電流密度および流速が及ぼす溶融池内の駆動力変化
- 窒素イオン照射を用いたPTFEの接着力向上 : 極性基と凹凸の寄与
- 窒素イオン照射を用いたPTFEの接着力向上 : 接着力向上に寄与する架橋層の形成深さ
- イオン照射を用いたPMMAの表面改質 : 硬度向上における架橋構造の形成深さの寄与
- 鉄蒸気および放射分布に及ぼすパルスアークの電流周波数の寄与
- 鉄蒸気および放射分布に及ぼすパルスアークの電流周波数の寄与
- 高E/n放電の陰極付近におけるイオンエネルギー分布とその制御
- 高エネルギー密度化に関わる真空中の放電制御技術調査専門委員会
- GTA溶接により形成される溶融池の溶け込み深さに及ぼす金属蒸気の寄与
- パルスアークの電流増加率が寄与するアーク温度の時間変化
- Conductance and Temperature Distribution of Arc with Decreasing Current
- Contribution of Radiation Increment of SF_6 Arc Affected by Electrode Tip Angle and Gas Flow Rate
- スカンジウム蒸気混入が及ぼすアルゴンアークの演色性向上に向けたスペクトル制御
- 陽極ジェットの発生に及ぼす陽極近傍の電界上昇
- ガスタングステンアーク溶接における電流増加が及ぼす放射損失